Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Транспортные и термоэлектрические свойства полупроводникового силицида рения
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь 
2Лейбниц Институт физики твердого тела и материаловедения, Дрезден, Германия
2Лейбниц Институт физики твердого тела и материаловедения, Дрезден, Германия
Поступила в редакцию: 9 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.
Проведено комплексное экспериментальное и теоретическое исследование транспортных и термоэлектрических свойств полупроводникового силицида рения ReSi1.75. Монокристаллические образцы чистого и легированного алюминием ReSi1.75 были получены методом зонной плавки с применением оптического нагрева. Температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента Холла и коэффициента Зеебека (термоэдс) измерены в интервале 77-800 K. Концентрация носителей заряда для нелегированного силицида рения при комнатной температуре составляет 1019 см-3, подвижность носителей заряда - 30 см2/(В·с). Теоретическое исследование транспортных и термоэлектрических свойств включает расчет зонной структуры из первых принципов, оценку эффективных масс носителей заряда, моделирование подвижности электронов и дырок с учетом классических механизмов рассеяния, расчет коэффициента Зеебека. Полученные результаты теоретического моделирования находятся в хорошем соответствии с экспериментальными данными.
- L. Ivanenko, H. Lange, A. Heinrich. In: Semiconducting silicides, ed. by V.E. Borisenko (Berlin, Springer Verlag, 2000) Chap. 5, p. 243
- C.A. Kleint, A. Heinrich, H. Griessmann, D. Hofmann, H. Vinzelberg, J. Schumann, D. Schlaefer, G. Behr, L. Ivanenko. MRS Fall Meeting "Thermoelectric Materials 1998" (Boston, USA, 1998). [MRS Symposium Proc., 545, 165 (1999)]
- A. Heinrich, C. Kleint, H. Griessmann, G. Behr, L. Ivanenko, V. Shaposhnikov, J. Schumann. Proc. XVIII Int. Conf. on Thermoelectrics (Baltimore, USA, 1999) p. 161
- U. Gottlieb, B. Lambert-Andron, F. Nava, M. Affronte, O. Laborde, A. Rouault, R. Madar. J. Appl. Phys., 78, 3902 (1995)
- I. Ali, P. Muret, A. Haydar. Semicond. Sci. Technol., 16, 966 (2001)
- L. Ivanenko, V.L. Shaposhnikov, A.B. Filonov, D.B. Migas, G. Behr, J. Schumann, H. Vinzelberg, V.E. Borisenko. Microelectronic Engin., 64 (1--4), 225 (2002)
- D. Souptel, G. Behr, L. Ivanenko, H. Vinzelberg, J. Schumann. J. Cryst. Growth., 244, 296 (2002)
- A.B. Filonov, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, N.N. Dorozhkin, V.E. Borisenko, H. Lange, A. Heinrich. Europhys. Lett., 46, 376 (1999); A.B. Filonov, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, V.E. Borisenko, A. Heinrich. Microelectronic Engin., 50, 249 (2000)
- P. Blaha, K. Schwarz, P. Sorantin, S.B. Trickey. Comput. Phys. Com., 59, 399 (1990)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
- B.K. Ridley. Quantum Processes in Semiconductors (Oxford, Clarendon Press, 1982) p. 143
- T. Siegrist, F. Hulliger, G. Travglini. J. Less-Comm. Met., 92, 119 (1983)
- А.Ф. Иоффе. Физика полупроводников (М.--Л., АН СССР, 1957) с. 36
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
