Влияние зарядового состояния неравновесных вакансий на природу радиационных дефектов в кристаллах n-Si
Пагава Т.А.1
1Грузинский технический университет, РЦСИ, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 21 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.
Цель работы заключается в изучении влияния зарядового состояния неравновесных вакансий на процессы, происходящие во время облучения и термообработки в кристаллах кремния. Образцы n-Si, полученные методом зонной плавки, с концентрацией электронов N=6·1013 см-3 облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 K. Облученные кристаллы исследовались методом Холла в интервале 77-300 K. Показано, что природа и энергетический спектр радиационных дефектов в кристаллах n-Si в основном определяются зарядовым состоянием неравновесных вакансий.
- Л.С. Милевский, В.С. Гарнык. ФТП, 13, 1369 (1979)
- Т.А. Пагава, З.В. Башелейшвили, В.С. Гарнык, Э.Р. Кутелия, Н.И. Майсурадзе. УФЖ, 48, 576 (2003)
- З.В. Башелейшвили, Т.А. Пагава. ФТП, 33, 924 (1999)
- В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981) ч. 1, гл. 2, с. 82
- И.Д. Конозенко, А.К. Семенюк, В.И. Хиврич. Радиационные дефекты в кремнии (Киев, Наук. думка, 1974) ч. 1, гл. 2, с. 35
- P.F. Lugakov, V.V. Lukyanitsa. Phys. Status Solidi A, 84, 457 (1984)
- В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М. Наука, 1990) гл. 3, с. 76
- Л.С. Милевский, Т.А. Пагава. ФТП, 10, 1287 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук