Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизмы токопереноса и свойства гетероструктур a-SiC : H/c-Si

Шерченков А.А.¹, Будагян Б.Г.¹, Мазуров А.В.¹

¹Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Москва, Зеленоград, Россия

Поступила в редакцию: 27 декабря 2004 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы свойства гетероструктур a-SiC : H/c-Si, сформированных при различном содержании углерода в сплаве. Установлены преобладающие механизмы переноса носителей заряда в гетероструктурах. Предложены эквивалентные электрические схемы, позволяющие описать вольт-амперные характеристики гетероструктур во всем исследуемом диапазоне смещений. Оценены температурный коэффициент изменения ширины запрещенной зоны и сродство к электрону для a-SiC : H.

C.-K. Jung, D.-C. Lim, H.-G. Jee, M.-G. Park, S.-J. Ku, K.-S. Yu, B. Hong, S.-B. Lee, J.-H. Boo. Surf. Coat. Technol., 171, 46 (2003)
H. Gleskova, S. Wagner. Appl. Surf. Sci., 175--176, 12 (2001)
H. Matsuura, T. Okuno, H. Okushi, K. Nanaka. J. Appl. Phys., 55 (4), 1012 (1984)
А.А. Шерченков, Б.Г. Будагян, А.В. Мазуров. Преспективные матер., N 3, 24 (2003)
H. Mimura, Y. Hatanaka. Appl. Phys. Lett., 45, 452 (1984)
H. Matsuura. Jap. J. Appl. Phys., 27, L 513 (1988)
L.F. Marsal, J. Pallares, X. Correig, J. Calderer, R. Alcubilla. J. Appl. Phys., 79 (11), 8493 (1996)
Morimoto, T. Miura, M. Kumeda, T. Shimizu. Jap. J. Appl. Phys., 21, L.2 (1982)
М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
Б.Г. Будагян, А.А. Шерченков, А.Е. Бердников, А.В. Бирюков, Г.Л. Горбулин. Матер. Х Межд. симп. Тонкие пленки в электронике (Ярославль, 20--25 сентября 1999) ч. 2, с. 238
Аморфный кремний и родственные материалы, под ред. Х. Фрицше (М., Мир, 1991)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices, 2-nd edition (Wiley Interscience Publication John Wiley \& Sons, N. Y.--Chichester--Brisbane--Toronto--Singapore, 1981) v. 1]
К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергоиздат, 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель