"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности перехода проводимости металл--диэлектрик в узкощелевых полупроводниках структурного типа MgAgAs
Ромака В.А.1, Стаднык Ю.В.2, Шеляпина М.Г.3, Фрушарт Д.4, Чекурин В.Ф.1, Ромака Л.П.2, Гореленко Ю.К.2
1Институт прикладных проблем математики и механики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2Львовский национальный университет им. И. Франко, Львов, Украина
3Институт физики им. И.В. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
4Лаборатория кристаллографии Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
Поступила в редакцию: 2 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Определена роль примесной акцепторной зоны в проводимости легированного и компенсированного полупроводника ZrNiSn. Предложена модель перестройки примесной зоны при легировании полупроводника акцепторными примесями. Рассчитана электронная структура твердого раствора Zr1-xScxNiSn. Впервые выявлены осцилляции магнитной восприимчивости вблизи перехода диэлектрик--металл при изменении состава Zr1-xScxNiSn, который мы связываем с переходом Андерсона. Наблюдаемые осцилляции являются проявлением кулоновской щели примесной зоны при изменении степени легирования и компенсации полупроводника. PACS: 71.30.+n, 71.28.+d, 72.20.Pa, 72.20.-i, 75.20.-g
  • S.J. Poon. Adv. Phys., 41, 303 (1992)
  • M.A. Kouacou, J. Pierre, R.V. Skolozdra. J. Phys. B: Condens. Matter, 7, 7373 (1995)
  • H. Hohl, A.P. Ramirez, C. Goldmann, G. Ernst, B. Wolfing, E. Buchert. J. Phys. B: Condens. Matter, 11, 1697 (1999)
  • C. Uher, J. Yang, S. Hu, D.T. Morelli, G.P. Meisner. Phys. Rev. 59, 8615 (1999)
  • J. Tobola, J. Pierre, S. Kaprzyk, R.V. Skolozdra, M.A. Kouacou. J. Phys.: Condens. Matter, 10, 1013 (1998)
  • Ф.Г. Алиев, Н.Б. Брандт, В.В. Козырьков, В.В. Мощалков, Р.В. Сколоздра, Ю.В. Стаднык. Письма ЖЭТФ, 45, 535 (1987)
  • Ф.Г. Алиев, Н.Б. Брандт, В.В. Козырьков, В.В. Мощалков, Р.В. Сколоздра, Ю.В. Стаднык. Физика низких температур, 12, 498 (1987)
  • Ф.Г. Алиев, Н.Б. Брандт, В.В. Козырьков, В.В. Мощалков, Р.В. Сколоздра, Ю.В. Стаднык. Письма ЖЭТФ, 47, 151 (1988)
  • F.G. Aliev, N.B. Brandt, V.V. Kozyrkov, V.V. Moshchalkov, V.V. Kozyrkov, R.V. Skolozdra, A.I. Belogorokhov. J. Phys. B: Condens. Matter, 75, 167 (1989)
  • F.G. Aliev, V.V. Kozyrkov, V.V. Moshchalkov, R.V. Skolozdra, K. Durczewski. J. Phys. B: Condens. Matter, 80, 353 (1990)
  • A. Horyn, O. Bodak, L. Romaka, Yu. Gorelenko, A. Tkachuk. V. Davydov, Yu. Stadnyk. J. Alloys Comp., 363, 10 (2004)
  • K. Kaczmarska, J. Pierre, J. Tobola, R.V. Skolozdra. Phys. Rev. B, 60, 373 (1999)
  • Y. Kawaharada, K. Kurosaki, H. Muta, M. Uno, S. Ymanaka. J. Alloys Comp., 384, 308 (2004)
  • S. Katasuyama, H. Matsushima, M. Ito. J. Alloys Comp., 385, 232 (2004)
  • Р.В. Сколоздра. Станниды переходных и редкоземельных элементов (Львов, Мир, 1993)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electron processes in non-crystalline materials(Oxford, Clarendon Press, 1979)]
  • L.G. Akselrud, Yu.N. Grin, P.Yu. Zavalii, V.K. Pecharsky, V.S. Fundamenskii. 12-=SUP=-th-=/SUP=-Eur. Crystallographic Meeting. Collected Abstract (M., Nauka, 1989) p. 155
  • L. Romaka, Yu. Stadnyk, M.G. Shelyapina, V.S. Kasperovich, D. Fruchart, A. Horyn. J. Alloys Comp., (2005) to be published
  • S. Ogut, K.M. Rabe. Phys. Rev. B, 51, 10 443 (1995)
  • A.J. Tobola, J. Pierre. J. Alloys Comp., 296, 243 (2004)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.