"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние отклонения от стехиометрии и легирования на спектры фотопроводимости слоистых кристаллов GeSe
Блецкан Д.И.1, Мадяр Й.Й.1, Кабаций В.Н.2
1Ужгородский национальный университет, Ужгород, Украина
2Мукачевский технологический институт, Мукачево, Украина
Поступила в редакцию: 12 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

-1 Изучены поляризационные спектры фотопроводимости слоистых кристаллов GeSe, с нарушенной стехиометрией и легированных Bi, выращенных методом статической сублимации. В спектрах специально не легированных кристаллов GeSe при 293 K в области края собственного поглощения выявлены два сильно поляризованных максимума при энергиях фотонов hnumax=1.35 эВ ( E|| a) и hnumax=1.44 эВ ( E|| b), обусловленных оптическими переходами Vv1-> Vc1 и Deltav2-> Deltac1 соответственно. В области низких температур выявлена экситонная фотопроводимость с максимумом при hnumax=1.32 эВ, связанная с диссоциацией экситонов на катионных вакансиях. С увеличением избытка Se в кристаллах наблюдалось резкое увеличение интенсивности экситонного максимума в спектрах фотопроводимости. Показано, что эффективным средством управления электрическими и фотоэлектрическими свойствами кристаллов GeSe является легирование их донорной примесью Bi. Несмотря на то, что при введении Bi в моноселенид германия не происходит инверсии типа проводимости с p на n, наблюдается резкое увеличение удельного сопротивления, фотоочувствление кристаллов и появление в спектрах фотопроводимости интенсивной примесной полосы с максимумом на 1.11 эВ. PACS: 72.40.+w, 61.66.Fn
  • Д.И. Блецкан. Кристаллические и стеклообразные халькогениды Si, Ge, Sn и сплавы на их основе (Ужгород, ОАО "Издательство Закарпатье", 2004) т. 1
  • H. Wiedemeier, P.A. Siemers. Z. Anorg. Allg. Chem., 411 (1), 90 (1975)
  • С.Г. Карбанов, Е.А. Статнова, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова. Вестн. МГУ. Сер. Химия, 13 (5), 531 (1972)
  • S. Asanabe, A. Okazaki. J. Phys. Soc. Japan, 6, 989 (1960)
  • S. Ishida, T. Fukunaga, T. Kinosada, K. Murase. Physica, BC105 (1--3), 70 (1981)
  • Y. Ishihara, I. Nakada. Phys. Status Solidi B, 105, 285 (1981)
  • Y. Ishihara, Y. Ohno, I. Nakada. Phys. Status Solidi B, 121 (1), 407 (1984)
  • D.S. Kyriakos, A.N. Anagnostopoulos. J. Appl. Phys., 58, 3917 (1985)
  • А.П. Захарчук, С.Ф. Терехова, С.М. Тодоров, Г.Г. Цебуля. ФТП, 10, 2367 (1976)
  • M.P. Lisitsa, A.P. Zakharchuk, S.F. Terekhova, G.G. Tsebulya, L.K. Mladov, S.M. Todorov. Phys. Status Solidi B, 75 (1), K51 (1976)
  • S.V. Vlachos, A.P. Lambros, A. Thanailakis, N.A. Economou. Phys. Status Solidi B, 76 (2), 727 (1976)
  • S.V. Vlachos, A.P. Lambros, N.A. Economou. Sol. St. Commun., 19, 759 (1976)
  • Д.А. Гусейнова, А.М. Кулибеков, И.К. Нейманзаде. ФТП, 17, 738 (1983)
  • Д.А. Гусейнова, А.М. Кулибеков, Г.С. Оруджев. ФТП, 19, 2059 (1985)
  • В.А. Тягай, В.Н. Бондаренко, А.Н. Красико, Д.И. Блецкан, В.И. Шека. ФТТ, 18, 1433 (1976)
  • G. Valiukonis, F.M. Gashimzade, D.A. Guseinova, G. Krivaite, A.M. Kulibekov, G.S. Orudzhev, A. v Sileika. Phys. Status Solidi B, 117, 81 (1983)
  • G. Valiukonis, D.A. Guseinova, G. Krivaite, A. v Sileika. Phys. Status Solidi B, 185, 299 (1986)
  • F.M. Gashimzade, D.G. Guliev, D.A. Guseinova, V.Y. Shteinshrayber. J. Phys: Condens. Matter, 4, 1081 (1992)
  • Д.И. Блецкан. УФЖ, 24, 1321 (1979)
  • Г.С. Бушмарина, Б.Ф. Грузинов, Л.М. Сысоева. Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, Наука, 1977) ч. 1, с. 286
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.