Исследована вольт-фарадная характеристика МОП структуры на основе крупноблочной пленки p-CdTe. Немонотонная зависимость объясняется перезарядкой глубоких акцепторных уровней на границе полупроводник--окисел и изменением степени компенсации поверхностных состояний. PACS: 71.20.Nr, 73.40.Qv
P. Baruch. J. Phys. Chem. Sol., 8, 153 (1959)
M. Yamaguchi, S.J. Taylor, M.-Ju Yang, S. Matsuda, O. Kawasaki, T. Hisamatsu. Jap. J. Appl. Phys., 35 (7), pt 1, 3918 (1996)
M. Yamaguchi, S.J. Taylor, S. Watanabe, K. Ando, M. Yamaguchi, T. Hisamatsu, S. Matsuda. Appl. Phys. Lett., 72 (10), 1226 (1998)
M. Imaizumi, S.J. Taylor, M. Yamaguchi, T. Ito, T. Hisamatsu, S. Matsuda. J. Appl. Phys., 85 (3), 1916 (1999)
Ш.А. Мирсагатов, А.И. Султанов. Электрон. техн. Сер. Лазерная техника и оптоэлектроника, вып. 3 (55), 98 (1990)
Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов. Письма ЖТФ, 29 (24), 84 (2003)
Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов, С.А. Музафарова. Письма ЖТФ, 29, 82 (2003)
S.Zh. Karazhanov. J. Appl. Phys., 89 (8), 3707 (2001)
S.Zh. Karazhanov. Appl. Phys. Lett., 76 (19), 2689 (2000)
Ш.А. Мирсагатов, А.И. Султанов. Узбекский физ. журн., 5 (6), 350 (2003)
В.Г. Георгиу. Вольт-фарадные измерения параметров полупроводников (Кишинев, Изд-во Штиинца, 1987)
K. Zanio. In: Semiconductors and Semimetals (N. Y., Acad. Press, 1978) v. 13, p. 236
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
Х.Х. Исмаилов, Ш.А. Мирсагатов, С.Х. Шомирзаев, С.А. Музафарова. Матер. конф. "Фотоэлектрические явления в полупроводниках-2004" (Ташкент, 2004) с. 110