"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Методы легирования слоев кремния в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
Шенгуров В.Г.1, Светлов С.П.1, Чалков В.Ю.1, Шенгуров Д.В.2, Денисов С.А.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 11 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si (100) выращены эпитаксиальные слои Si, легированные различными примесями. Легирование фосфором слоев было проконтролировано в диапазоне концентраций электронов от 2· 1013 до 1019 см-3. Высокая концентрация легирующей примеси (~ 1020 см-3) была получена при использовании испарения из частично расплавленных кремниевых источников. Возможность управления сортом и концентрацией примеси в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии продемонстрирована при выращивании многослойных структур типа p+-n+. PACS: 68.55.Bs, 81.40.Rs, 81.40.Tv
  • J.C. Bean. J. Electron. Mater., 19, 1055 (1990)
  • Y. Shiraki. Abstracts 15 th Conf. Sol. St. Dev. and Mater. (Tokyo, 1983) p. 7
  • G.E. Becker, J.C. Bean. J. Appl. Phys., 48, 3395 (1977)
  • J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 33, 654 (1977)
  • Y. Ofa. Thin Sol. Films, N 3 (1983)
  • S.S. Iyer, R.A. Metrger, F.G. Allen. J. Appl. Phys., 52, 5608 (1981)
  • J.A. Roth, C.L. Anderson. Appl. Phys. Lett., 31, 689 (1977)
  • J.C. Bean, H.J. Leamy, J.M. Poate, G.A. Rozgonyi, T.T. Sheng, J.S. Williams. Appl. Phys. Lett., 33, 227 (1978)
  • J.F. Nutzel. J. Appl. Phys., 78, 937 (1995)
  • В.Г. Шенгуров. Поверхность. Физика, химия, механика, N 44 (1994)
  • В.П. Кузнецов, В.В. Постников. Кристаллография, 19(2), 346 (1974)
  • В.В. Постников, М.И. Овсянников, Р.Г. Логинова, Р.А. Рубцова, Т.Н. Сергиевская, В.А. Толомасов. ДАН СССР, 175(4), 817 (1967)
  • Р.Г. Логинова, В.П. Кузнецов, М.И. Овсянников, В.В. Постников. Кристаллография, 11(3), 479 (1966)
  • М.И. Овсянников, Р.Г. Логинова, Р.А. Рубцова. Кристаллография, 15(6), 1261 (1970)
  • В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000)
  • M.V. Stepikhova, B.A. Andreev, V.B. Shmagin, Z.F. Krail'nik, V.P. Kuznetsov, V.G. Shengurov, S.P. Svetlov, W. Jantsch, L. Palmetschofer, H. Ellmer. Thin Sol. Films, N 369, 426 (2000)
  • С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.А. Толомасов, Г.Н. Горшенин, В.Ю. Чалков. ПТЭ, N 5, 137 (2001)
  • С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров. ПТЭ, N 4, 141 (2000)
  • G.W. Golel, F.G. Allen. J. Phys. Chem. Sol., 23(14), 467 (1960).
  • Л.Н. Абросимова, С.В. Гастев, Г.Н. Горшенин, Н.С. Соколов, В.А. Толомасов, Тез. докл. VII конф., " Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок" (Новосибирск, 9--13 июня 1986) т. 3, с. 97
  • В.А. Толомасов, Л.Н. Абросимова, Г.Н. Горшенин. Кристаллография, 15(6), 1233 (1970)
  • В.Г. Шенгуров, Р.А. Рубцова. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 9, 106 (1997)
  • А.И. Никифоров, Б.З. Кантер, С.И. Стекин. Электронная промышленность, N 6, 3 (1989)
  • G.E. Becker, J.C. Bean. J. Appl. Phys., 48, 3395 (1977)
  • F.G. Allen, S.S. Iyer, R.A. Metzger. Appl. Surf. Sci., 11/12, 517 (1982)
  • В.В. Постников. Кристалография, 9(2), 300 (1964)
  • Л. Ченга, Л. Плога. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры (М., Мир, 1989)
  • В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, М.В. Степихова, Д.В. Шенгуров, L. Palmetshofer, H. Ellmer. ФТП, 35, 954 (2000)
  • В.Г. Шенгуров, В.Н. Шабанов, Р.А. Рубцова. Тез. докл. VII конф. " Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок." (Новосибирск, 9--13 июня 1986) т. 1, с. 273
  • В.П. Кузнецов, Р.Г. Логинова, М.И. Овсянников, В.В. Постников. Процессы роста и структура монокристаллических полупроводников (Новосибирск, Наука, 1968) ч. 1, с. 483
  • Ю.М. Шашков Выращивание монокристаллов методом вытягивания (М., Металлургия, 1982).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.