Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Барьеры Шоттки на основе пленок n-In2S3, полученных лазерным испарением
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь 
2Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.
Методом импульсного лазерного испарения исходных мишеней с последующим осаждением на стеклянные подложки при температурах 480-720 K выращены гомогенные тонкие (0.6-1.5 мкм) пленки n-In2S3, на которых впервые созданы барьеры Шоттки In/n-In2S3. Изучена температурная зависимость удельного сопротивления пленок n-типа проводимости и определена энергия активации донорных центров в них. Исследованы спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования eta(homega) полученных барьеров. Из анализа спектральных зависимостей eta(homega) сделан вывод о характере межзонных переходов и оценена ширина запрещенной зоны в пленках In2S3. Сделан вывод о возможностях применения тонких пленок In2S3 в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения. PACS: 78.20.-e
- R. Ramanathan, M.A. Contreras, C.A. Perkins et al. Prog. Photovolt. Res. Appl., 11, 225 (2003)
- D. Hariskos, S. Spiering, M. Povalla. Thin Sol. Films, 480 (1), 99 (2005)
- A. Jasenek, U. Rau. J. Appl. Phys., 90 (8), 650 (2001)
- N. Neghavi, R. Henriquez, V. Laptev et al. Appl. Surf. Sci., 222 (1), 65 (2004)
- C. Cuillen, T. Garcia, Y. Herrero et al. Thin Sol. Films, 112-115 (7), 451 (2004)
- A.A. El Shazlyy, D. Abd Elhadyyz, H.S. Metwally, M.A.M. Seyam. J. Phys.: Condens. Matter, 10 (26), 5943 (1998)
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой, В.Б. Лазарева (М., Наука, 1979)
- Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая, Е.В. Скуднова, С.Н. Чижевская. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе (М., Наука, 1975)
- И.В. Боднарь, В.А. Полубок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 37 (11), 1346 (2003)
- Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
- М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1970)
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
