Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Cathodoluminescence and TEM studies of HVPE GaN layers grown on porous SiC substrates

Kolesnikova E.¹, Mynbaeva M.¹, Sitnikova A.¹

¹Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 12 сентября 2006 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Plain-view-field transmission electron microscopy and cathodoluminescence are used to study the defect structure of GaN films grown by hydride vapour-phase epitaxy on porous and non-porous SiC substrates. It is shown that the use of porous substrate reduces the mosaic structure of the films. This finding supports the compliance of porous SiC substrates, which was proposed by the authors earlier. PACS: 61.43.Gt, 61.72.Ff, 68.37.Lp, 68.55.Jk, 78.60.Hk

F. Yun, S. Dov gan, Y.T. Moon, Y. Fu, J. Xu, D. Johnstone, H. Morkoc. Phys. Status Solidi C, 2, 2087 (2005)
A. Sagar, C.D. Lee, R. Feenstra, C.K. Inoki, T.S. Kuan. J. Vac. Sci. Technol., B21, 1812 (2003)
C.K. Inoki, T.S. Kuan, C.D. Lee, A. Sagar, R.M. Feenstra, D.D. Koleske, D.J. Diaz, P.W. Bohn, I. Aldesida. J. Electron. Mater., 32, 855 (2003).
М.Г. Мынбаева, О.В. Константинов, К.Д. Мынбаев, А.Е. Романов, А.А. Ситникова. Письма ЖТФ, 32 (23), 25 (2006)
К.Д. Мынбаев, М.Г. Мынбаева, А.С. Зубрилов, Н.А. Середова. Письма ЖТФ, 33 (2), 74 (2007).
M.G. Mynbaeva, D.A. Bauman, K.D. Mynbaev. Phys. Sol. St., 47, 1571 (2005)
M. Mynbaeva. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 742, 303 (2003)
A.E. Nikolaev, I. Nikitina, A. Zubrilov, M. Mynbaeva, Yu. Melnik, V. Dmitriev. MRS Int. J. Nitride Semicond. Res., 5S1, W6 (2000)
M.V. Zamoryanskaya, S.G. Konnikov, A.N. Zamoryanskiy. Instruments and Experimental Techniques, 47 (4), 477 (2004)
F.A. Ponce, D.P. Bour, W. Gotz, P.J. Wright. Appl. Phys. Lett., 68, 57 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель