Проведено сравнение параметров мощных многомодовых лазерных диодов с длиной волны излучения 808 нм, полученных на основе асимметричных гетероструктур со сверхшироким волноводом в системах твердых растворов AlGaAs/GaAs и (Al)GaInP/GaInAsP/GaAs. В лазерах на основе системы AlGaAs/GaAs максимальная оптическая мощность была ограничена катастрофической оптической деградацией зеркал SiO2/Si и составила 4.7 Вт. В лазерах на основе системы (Al)GaInP/GaInAsP/GaAs максимальная оптическая мощность была ограничена термическим насыщением и составила 7 Вт. Полученные результаты показали, что с точки зрения увеличения максимальной оптической мощности и срока службы лазеров более надежной является система (Al)GaInP/GaInAsP/GaAs. PACS: 42.55.Px, 78.55.Cr, 78.67.De
T. Fukunaga, M. Wada, H. Asano, T. Hayakawa. Jpn. J. Appl. Phys., 34, pt 2 (9B), L1175 (1995)
J.K. Wade, L.J. Mawst, D. Botez, R.F. Nabiev, M. Jansen, J.A. Morris. Appl. Phys. Lett., 72 (1), 4 (1998)
T. Fukunaga, M. Wada, T. Hayakawa. Jpn. J. Appl. Phys., 38, pt 2 (4A), L387 (1999)
N. Tansu, D. Zhou, L.J. Mawst. IEEE Photon. Technol. Lett., 12 (6), 603 (2000)
R.M. Lammert, M.L. Osowski, S.W. Oh, C. Panja, J.E. Ungar. Electron. Lett., 42 (9), 535 (2006)
А.Ю. Андреев, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Т.А. Налет, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, М.А. Хомылев, И.С. Тарасов. ФТП, 40 (5), 628 (2006)
N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40, 1413 (2004)
Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39, 388 (2005)