С помощью программы SimWindows выполнено моделирование эффективности фотопреобразования солнечных элементов на основе GaAs с квантовыми ямами из InGaAs в условиях АМ 1.5 при различных уровнях легирования базы. Проведено сравнение полученных результатов с эффективностью фотопреобразования обычных солнечных элементов. Показано, что солнечные элементы с квантовыми ямами могут иметь достаточно большую эффективность фотопреобразования по сравнению с эффективностью фотопреобразования обычных солнечных элементов при следующих условиях: а) времена жизни носителей заряда в квантовых ямах больше, чем в барьерном материале, б) уровень легирования базы не очень высокий. Установлено, что максимальная эффективность фотопреобразования обычных солнечных элементов больше, чем эффективность фотопреобразования солнечных элементов с квантовыми ямами. Она достигается при больших уровнях легирования базы (~3· 10¹⁸ см^-3 при использованных для расчета параметрах). Это связано с более сильной излучательной рекомбинацией, а также с особенностями экранирования и токопрохождения в солнечных элементах с квантовыми ямами при высоких уровнях легирования. Показано, что при достаточно больших значениях степени концентрации освещения величины эффективности фотопреобразования в солнечных элементах с квантовыми ямами для низких и высоких уровней легирования базы сближаются. PACS: 73.63.Hs, 84.60.Jt, 81.07.St, 85.35.Be, 73.40.Kp

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.