"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование массива кластеров As в GaAs, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре и delta-легированном фосфором
Бойцов А.В.1, Берт Н.А.1, Чалдышев В.В.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Методами просвечивающей электронной микроскопии проведены исследования delta-легированных фосфором (1 монослой) пленок GaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией при температуре 200oC (LT-GaAs) и изохронно отожженных при 400, 500 или 600oC. Из анализа картины муара на электронно-микроскопических изображениях кластеров, сформированных при отжиге, установлено, что их микроструктура и ориентационные соотношения соответствуют таковым для кластеров чистого As в GaAs, и следовательно, при преципитации избыточного мышьяка захвата фосфора из матрицы в формирующиеся кластеры не происходит. Изучение пространственного распределения кластеров по толщине пленки LT-GaAs показало, что изменения концентрации кластеров в окрестности delta-слоев P при использованных условиях выращивания и отжига не наблюдается. Таким образом, фосфор, будучи введенным в пленку LT-GaAs в виде delta-слоев, по своему воздействию на пространственное распределение кластеров As подобен изовалентной примеси Al и отличается от таких изовалентных примесей как In и Sb. PACS: 81.15.Hi, 68.37.Lp
  • F.W. Smith, A.R. Calawa, C.L. Chen, M.J. Mantra, L.J. Mahoney. Electron. Dev. Lett., 9, 77 (1988)
  • M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright, F.W. Smith, B.Y. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1831 (1989)
  • Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  • M.R. Melloch, K. Mahalingam, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren. J. Cryst. Growth, 111, 39 (1991)
  • S. Gupta, M.Y. Frankel, J.A. Valdmanis, J.F. Wittaker, G.A. Mouron, F.W. Smith, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 59, 3276 (1991)
  • В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, Е.А. Куницын, Ю.Г. Мусихин, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, P. Werner. ФТП, 32, 1161 (1998)
  • N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, N.N. Faleev, A.E. Kunitsyn, D.I. Lubyshev, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, V.V. Tretyakov. Semicond. Sci. Technol. 12, 51 (1997)
  • N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, N.D. Zakharov. Appl. Phys. Lett., 80, 377 (2002)
  • V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, A.E. Romanov, A.A. Suvorova, A.L. Kolesnikova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, N.D. Zakharov, A. Claverie. Appl. Phys. Lett., 80, 377 (2002)
  • M. Moreno, A. Trampert, L. Daweritz, K.H. Ploog, Appl. Surf. Sci. 234, 16 (2004)
  • I. Karakaya, W.T. Thompson. J. Phase Equilibria Diffusion, 12, 343 (1991)
  • A. Claverie, Z. Liliental-Weber, Phil. Mag., 65, 981 (1992)
  • Н.А. Берт, В.В. Чалдышев. ФТП, 30, 1889 (1996)
  • V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, U. Goesele. Appl. Phys. Lett. 79, 1294 (2001)
  • N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.E. Kunitsyn, Yu.G. Musikhin, N.N. Faleev, V.V. Tretyakov, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Appl. Phys. Lett., 70, 3146 (1997)
  • K. Mahalingam, N. Otsuka, M.R. Melloch, J.M. Woodall. Appl. Phys. Lett. 60, 3253 (1992)
  • Термодинамика и материаловедение полупроводников. Под.ред. В.М. Глазова. М., Металлургия, 1992
  • А.В. Бойцов, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, В.В. Чалдышев, М.А. Яговкина, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 40, 778 (2006)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.