"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Перераспределение Al в имплантированных слоях SiC в процессе термического отжига
Александров О.В.1, Калинина Е.В.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 сентября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

Проведен анализ экспериментальных профилей концентрации Al при его имплантации в SiC при комнатной температуре и последующем высокотемпературном отжиге. Показано, что при дозах, превышающих порог аморфизации, на профилях наблюдается ряд особенностей: смещение максимума распределения, накопление примеси на поверхности, образование прямоугольных ("box-shaped") профилей. Для количественного описания перераспределения примеси Al в слоях SiC, имплантированных с высокими дозами, впервые предложена сегрегационно-диффузионная модель, учитывающая сегрегацию примеси между alpha- и c-фазами в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации и последующую диффузию примеси с ее испарением с поверхности. Формирование прямоугольных профилей Al при быстром термическом отжиге объясняется образованием в рекристаллизованной области монокристаллического высокодефектного и поликристаллического слоев SiC с высоким коэффициентом диффузии примеси, а также подавлением переходной ускоренной диффузии в оставшейся монокристаллической части имплантированного слоя. PACS: 61.72.Bb, 85.40.Ry
  • Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, М.Б. Рейфман. ФТТ, 8, 1298 (1966)
  • Е.Н. Мохов, Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина. ФТТ, 11, 519 (1969)
  • Ю.А. Водаков, Н. Жумаев, Б.П. Зверев, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов, Ю.Ф. Симахин. ФТП, 11 (2), 373 (1977)
  • H. Wirth, D. Panknin, W. Scorupa, E. Niemann. Appl. Phys. Lett., 74, 979 (1999)
  • I.O. Usov, A.A. Suvorova, V.V. Sokolov, Y.A. Kudryavtsev, A.V. Suvorova. J. Appl. Phys., 86, 6039 (1999)
  • E. Kalinina, G. Kholujanov, A. Sitnikova, V. Kossov, R. Yafaev, G. Pensl, S. Reshanov, A. Hallen, A. Konstantinov. Mater. Sci. Forum, 433--436, 637 (2003)
  • A. Addamiano, G.W. Anderson, J. Comas, Y.L. Hughes, W. Lucke. J. Electrochem. Soc., 119, 1355 (1972)
  • W. Lucke, J. Comas, G. Gubler, K. Dunning. J. Appl. Phys., 46, 994 (1975)
  • Y. Tajima, K. Kijima, W.D. Kingery. J. Chem. Phys., 77, 2592 (1982)
  • T. Troffer, M. Schadt, T. Frank, H. Itohl, G. Pensl, J. Heindl (b), H.P. Strunk, M. Maier. Phys. Status Solidi A, 162, 277 (1997)
  • N. Chechenin, K. Bourdelle, A. Suvorov, A. Kastilio-Vitlosh. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., 65, 341 (1992)
  • А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах (М., Энергоиздат, 1985)
  • M.S. Janson, M.K. Linnarsson, A. Hallen, B.G. Svensson. J. Appl. Phys., 93, 8903 (2003)
  • M.S. Janson, M.K. Linnarsson, A. Hallen, B.G. Svensson. Appl. Phys. Lett., 76, 1434 (2000)
  • A.M. Mazzone. Phys. Status Solidi A, 95, 149 (1986)
  • Е.В. Калинина, Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Ситникова, А. Садохин, А. Азаров, В.Г. Коссов, Р.Р. Яфаев. ФТП, 42, 87 (2008)
  • E.V. Kolesnikova, E.V. Kalinina, A.A. Sitnikova, M.V. Zamoryanskaya, T.B. Popova. Sol. St. Phenomena, 131--133, 53 (2008)
  • О.В. Александров, Ю.А. Николаев, Н.А. Соболев. ФТП, 32, 1420 (1998)
  • О.В. Александров, Ю.А. Николаев, Н.А. Соболев. ФТП, 34, 3 (2000)
  • О.В. Александров, Ю.А. Николаев, Н.А. Соболев, R. Asomaza, Yu. Kudriavtsev, A. Villegas, A. Godines. ФТП, 37, 1409 (2003)
  • О.В. Александров, Н.Н. Афонин. ФТП, 39, 647 (2005)
  • Т.Д. Джафаров. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах (Л., Наука, 1978)
  • T.O. Sedgwick, A.E. Michel, V.R. Devine, S.A. Cohen, J.B. Lasky. J. Appl. Phys., 63, 1452 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.