"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические свойства пленок GaN/Al2O3, легированных кремнием
Заяц Н.С.1, Генцарь П.А.1, Бойко В.Г.1, Литвин О.С.1, Вуйчик Н.В.1, Стронский А.В.1, Янчук И.Б.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 30 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

Проведены морфологические и оптические исследования пленок GaN, легированных кремнием (уровень легирования NSi=1.5· 1019 см-3), выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках из сапфира, ориентированных по кристаллографической оси c. Для выращенных пленок GaN получены следующие физические параметры: энергия электронного перехода E0, коэффициент поглощения alpha, показатель преломления n, частоты поперечных и продольных оптических колебаний решетки, характерные для кристаллических пленок GaN. PACS: 61.72.Vv, 81.15.Gh, 78.20.Ci, 78.30.Fs
  • Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, В.А. Зыков, В.А. Сидоров. Широкозонные полупроводники (СПб., Наука, 2001) с. 128
  • В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, В.А. Федирко, D.R.T. Zahn. ФТП, 37, 964 (2003)
  • Г.О. Сукач, В.В. Кидалов, А.С. Ревенко. Подложки для эпитаксиального роста нитридов III группы (Киев, Четвертая волна, 2007) с. 188
  • П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002)
  • T. Li, C. Simbrunner, M. Wegscheider, A. Navarro-Quezada, M. Quast, K. Schmidegg, A. Bonanni. J. Cryst. Growth, 310, 13 (2008)
  • T. Yoshida, Y. Oshima, T. Eri, K. Ikeda, S. Yamamoto, K. Watanabe, M. Shibata, T. Mishima. J. Cryst. Growth, 310, 5 (2008)
  • H.J. Park, C. Park, S. Yeo, S.W. Kang, M. Mastro, O. Kryliouk, T.J. Anderson. Phys. Status Solidi C, 2 (7), 2446 (2005)
  • C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, J.W. Ager III, I. Grzegory, B.K. Meyer. Phys. B, 302--303, 23 (2001)
  • V.Y. Davydov, Y.E. Kitaev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, A.P. Mirgorodsky, R.A. Evaretov. Phys. Rev. B, 58, 12 899 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.