"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние несущего газа и профиля легирования на морфологию поверхности сильно легированных слоев GaN : Mg, выращенных методом МО ГФЭ
Лундин В.В.1, Сахаров А.В.1, Заварин Е.Е.1, Синицын М.А.1, Николаев А.Е.1, Михайловский Г.А.1, Брунков П.Н.1, Гончаров В.В.1, Бер Б.Я.1, Казанцев Д.Ю.1, Цацульников А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Магний является единственной легирующей примесью для получения слоев GaN p-типа проводимости методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Большая энергия активации магния в GaN требует высоких концентраций вводимой примеси, что приводит к ухудшению морфологии растущих слоев. В работе описано влияние режимов роста на морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, легированных магнием. Показано, что морфология поверхности сильно легированных слоев зависит от среднего содержания магния в слое и значительно улучшается при использовании азота в качестве несущего газа. PACS: 81.05.Ea, 81.15.Gh, 61.72.uj, 68.37.Ps
  • И.Ф. Четверикова, М.В. Чукичев, А.П. Храмцов. Обзоры по электрон. техн. Сер. 6. Материалы, вып. 8, 911 (1982); Обзоры по электрон. техн. Сер. 6. Материалы, вып. 8, 945 (1983)
  • M. Inamori, H. Sakai, T. Tanaka, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 34, 1190 (1995)
  • S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, N. Iwasa. Jpn. J. Appl. Phys., 31 L139 (1992)
  • C. Yuan, T. Salagaj, A. Gurary, P. Zawadzki, C.S. Chern, W. Kroll, R.A. Stall, Y. Li, M. Shurman, C.-Y. Hwang, W.E. Mayo, Y. Lu, S.J. Pearton, S. Krishnankutty, R.M. Kolbas. J. Electrochem. Soc., 142 (9), 738 (1995)
  • И.П. Смирнова, Д.А. Закгейм, М.М. Кулагина, Л.К. Марков. Тез. докл. 4-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия" (М., 2005) с. 134
  • D.P. Griffis, R. Loesing, D.A. Ricks, M.D. Bremser, R.F. Davis. Proc. 11th Int. Conf. on Secondary Ion Mass Spectrometry, Orlando, Florida, Sept. 7-12, 1997 (John Wiley and Sons, 1998) p. 201
  • B. Schineller, A. Guttzeit, O. Schon, M. Heuken, K. Heim, R. Beccard. Proc. Int. Conf. on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweeden, 1997) p. 548
  • T. Wunderer, P. Bruckner, B. Neubert, F. Scholz, M. Feneberg, F. Lipski, M. Schirra, K. Thonke. Appl. Phys. Lett., 89, 041 121 (2006)
  • В.В. Лундин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников. ФТП, 42 (2), 233 (2008)
  • Huaibing Wanga, Jianping Liua, Nanhui Niua, Guangdi Shena, Shuming Zhang. J. Cryst. Growth, 304 (7-10), 738 (2007)
  • M.L. Nakarmi, K.H. Kim, J. Li, J.Y. Lin, H.X. Jiang. Appl. Phys. Lett., 82, 3041 (2003)
  • В.В. Лундин. Автореф. канд. дис. (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.