Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Вольт-фарадные измерения гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs в диапазоне температур от 10 до 320 K
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 30 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.
Приведены результаты исследования гетероструктур с одиночными напряженнными квантовыми ямами InGaAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик в широком интервале температур и частот измерительного сигнала. На основе анализа экспериментальных вольт-фарадных характеристик обнаружено температурное смещение пика наблюдаемого концентрационного профиля основных носителей заряда и предложена количественная модель данного явления. Определено влияние неполной ионизации примеси на величину заряда в квантовых ямах, определяемого из эксперимента. С помощью моделирования и подгонки вольт-фарадных характеристик установлено, что значение разрыва зоны проводимости для гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs/GaAs состава x=0.225 в диапазоне температур от 320 до 100 K остается постоянным и равным 172±10 мэВ. PACS: 73.40.Kp, 73.21.Fg, 81.07.St, 73.63.Hs
- В.М. Устинов. ФТП, 38, 963 (2004)
- F. Bugge, U. Zeimer, M. Sato, M. Weyers, G. Trankle. J. Cryst. Growth, 183, 511 (1998)
- M. Weyers, A. Bhattacharya, F. Bugge, A. Knauer. In: Topics Appl. Phys., ed. by R. Diehl (Berlin/Heidelberg, Springer, 2000) v. 78, p. 83
- В.И. Зубков, И.С. Шулгунова, А.В. Соломонов, M. Geller, A. Marent, D. Bimberg, А.Е. Жуков, Е.С. Семенова, В.М. Устинов. Изв. РАН. Сер. физ., 71 (1), 111 (2007)
- В.И. Зубков. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса (СПб., ООО "Техномедиа" Изд-во "Элмор", 2007)
- V.I. Zubkov, M.A. Melnik, A.V. Solomonov, E.O. Tsvelev, F. Bugge, M. Weyers, G. Trankle. Phys. Rev. B, 70 (7), 075 312 (2004)
- А.Н. Кузнецова, В.И. Зубков. Матер. XIV Межд. науч.-техн. конф. "Высокие технологии в промышленности России (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники)" (М., ОАО ЦНИТИ "Техномаш", 2008) с. 320
- В.И. Зубков. ФТП, 41 (3), 331 (2007)
- О.В. Кучерова, В.И. Зубков, Е.О. Цвелев, А.В. Соломонов. Тез. докл. 6-й Росс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 2008) с. 181
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
- V.I. Zubkov, C.M.A. Kapteyn, A.V. Solomonov, D. Bimberg. J. Phys.: Condens. Matter, 17, 2435 (2005)
- H. Kroemer, Chien Wu-Yi, J.S. Harris, jr., D.D. Edwall. Appl. Phys. Lett., 36 (4), 295 (1980)
- S. Subramanian, B.M. Arora, A.K. Srivastava, G. Fernandes, S. Banerjee. J. Appl. Phys., 74, 7618 (1993)
- H.v. Wenckstern, H. Schmidt, R. Pickenhain, M. Grundmann. Proc. 26th Int. Conf. Physics of Semiconductor (ICPS-26), (IoP Publishing, Bristol, 2002) Ser. 171, p. H12
- M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. Handbook Series on Semiconductor Parameters (World Scientific, London, 1999) v. 2
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
