"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование оптических характеристик структур с сильно напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs
Винокуров Д.А.1, Капитонов В.А.1, Николаев Д.Н.1, Соколова З.Н.1, Станкевич А.Л.1, Шамахов В.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Представлены результаты фотолюминесцентных исследований гетероструктур с сильно напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs. Показано, что интенсивность фотолюминесценции в зависимости от толщины квантовой ямы имеет максимум, положение которого зависит от состава твердого раствора InxGa1-xAs. Длина волны фотолюминесценции при максимальной интенсивности составила 1.13 мкм при толщине квантовой ямы 60 Angstrem и 1.14 мкм при толщине 50 Angstrem для x=0.39 и x=0.42 соответственно. PACS: 42.55.Px, 78.55.Cr, 78.67.De
  • А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Ю.А. Рябоштан, Е.Н. Голикова, И.С. Тарасов. ФТП, 36 (11), 1393 (2002)
  • С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, Ю.А. Рябоштан, Е.Н. Голикова, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 29 (3), 65 (2003)
  • F. Heinrichsdroff, M.-H. Mao, N. Kirstaedter, A. Krost, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 71 (1), 22 (1997)
  • С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, М.М. Кулагина, Е.В. Никитина, И.П. Сошников, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лившиц, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg, Ж.И. Алфёров. ФТП, 36 (11), 1400 (2002)
  • E.C. Le Ru, P. Howe, T.S. Jones, R. Murray. Phys. Rev. B, 67, 165 303 (2003)
  • D.A. Livshits, A.Y. Egorov, H. Riechert. Electron. Lett., 36 (16), 1381 (2000)
  • M. Kondow, T. Kitatani, S. Nakatsuka, M.C. Larson, K. Nakahara, Y. Yazawa, M. Okai, K. Uomi. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3 (3), 719 (1997)
  • N. Tansu, J.-Y. Yeh, L.J. Mawst. Appl. Phys. Lett., 82 (23), 4038 (2003)
  • В.В. Шамахов, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, В.А. Капитонов, С.А. Зорина, Д.Н. Николаев, А.В. Мурашова, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 31 (23), 1 (2005)
  • Z.H. Zhu, R. Zhou, F.E. Ejeckam, Z. Zhang, J. Zhang, J. Greenberg, Y.H. Lo, H.Q. Hou, B.E. Hammons. Appl. Phys. Lett., 72 (20), 2598 (1998)
  • T.K. Sharma, M. Zorn, U. Zeimer, H. Kissel, F. Bugge, M. Weyers. Cryst. Res. Technol., 40 (9), 877 (2005)
  • Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39 (3), 388 (2005)
  • A.A. Marmalyuk, O.I. Govorkov, A.V. Petrovsky, D.B. Nikitin, A.A. Padalitsa, P.V. Bulaev, I.V. Budkin, I.D. Zalevsky. J. Cryst. Growth, 237- 239, 264 (2002)
  • S. Adachi. J. Appl. Phys., 53 (12), 8775 (1982)
  • K.-H. Goetz, D. Bimberg, H. Jurgensen, J. Selders, A.V. Solomonov, G.F. Glinskii, M. Razeghi. J. Appl. Phys., 54 (8), 4543 (1983)
  • I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
  • M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
  • Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Н.А. Рудова, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщев, И.Н. Арсентьев, А.Д. Бондарев, М.К. Трукан, И.С. Тарасов. ФТП, 41 (10), 1247 (2007)
  • Quantum Well Lasers, ed. by P.S. Zory, jr. (Academic Press, 1993) p. 373
  • В.Б. Халфин, Д.З. Гарбузов, В.В. Красовский. ФТП, 20 (10), 1816 (1986)
  • Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101 (1), 327 (1992)
  • Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, О.В. Коваленков, Д.А. Лившиц, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 33 (7), 858 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.