"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние одноосной деформации на релаксацию возбужденных состояний мелких доноров в кремнии при взаимодействии с междолинными фононами
Цыпленков В.В.1, Ковалевский К.А.1, Шастин В.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 12 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Проведены расчеты скорости междолинного рассеяния возбужденных состояний 2p±, 2p0 и 1s доноров V группы (фосфор, сурьма, мышьяк) в кремнии при электрон-фононном взаимодействии. При этом учитывалась анизотропия эффективной массы и вырождение состояний электронов, связанное с шестью долинами зоны проводимости. Определена степень влияния сдвига энергии основного состояния из-за потенциала центральной ячейки на процесс релаксации различных доноров. Особое внимание уделено зависимости темпа релаксации от деформации сжатия кремния в кристаллографическом направлении [100]. Установлено, что такая деформация может значительно увеличить времена жизни рабочих состояний в лазере на внутрицентровых переходах доноров в кремнии при их оптическом возбуждении, повышая квантовую эффективность и коэффициент усиления такой активной среды. PACS: 42.55.Px, 71.55.Cn, 72.10.Di, 72.20.Dp, 77.65.Ly
  • S.G. Pavlov, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin, A.V. Kirsanov, H.-W. Hubers, K. Auen, H. Riemann. Phys. Rev. Lett., 84, 5220 (2000)
  • S.G. Pavlov, H.-W. Hubers, H. Riemann, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin. J. Appl. Phys., 92, 5632 (2002)
  • S.G. Pavlov, H.-W. Hubers, M.H. Rummeli, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin, H. Riemann. Appl. Phys. Lett., 80, 4717 (2002)
  • H.-W. Hubers, S.G. Pavlov, H. Riemann, N.V. Abrosimov, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin. Appl. Phys. Lett., 84, 3600 (2004)
  • R.Kh. Zhukavin, K.A. Kovalevsky, V.V. Tsyplenkov, V.N. Shastin, S.G. Pavlov, U. Bottger, H.-W. Hubers, N.V. Abrosimov, H. Riemann, N. Notzel, Appl. Phys. Lett., 90, 051 101 (2007)
  • S.G. Pavlov, U. Bottger, H.-W. Hubers, R.Kh. Zhukavin, K.A. Kovalevsky, V.V. Tsyplenkov, V.N. Shastin, N.V. Abrosimov, H. Riemann. Appl. Phys. Lett., 90, 141 109 (2007)
  • В.В. Цыпленков, Е.В. Демидов, К.А. Ковалевский, В.Н. Шастин. ФТП, 42 (9), 1032 (2008)
  • R. Barrie, R. Nishikawa. Canadian J. Phys., 41, 1823 (1963)
  • W. Kohn, J.M. Luttinger. Phys. Rev., 90 (4), 915 (1955)
  • R.J. Bell, W.T. Bousman, G.M. Goldman, D.G. Rathbun. Surf. Sci., 7, 293 (1967)
  • Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойcтва легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • C. Jacoboni, L. Reggiani. Rev. Mod. Phys., 55 (3), 645 (1983)
  • D.K. Wilson, G. Feher. Phys. Rev., 124 (4), 1068 (1961)
  • L.E. Oliveira, L.M. Falicov. Phys. Rev. B, 33, 6990 (1986)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.