Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О природе глубоких акцепторных уровней в запрещенной зоне неотожженных образцов монокристаллов PbTe

Ахмедова Г.А.¹, Багиева Г.З.¹, Агаев З.Ф.¹, Абдинов Д.Ш.¹

¹Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 12 января 2009 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Установлено, что в образцах монокристаллов PbTe, отожженных при 473 и 673 K, отсутствуют акцепторные уровни с энергией активации ~0.1 эВ, наблюдаемые в неотоженных образцах. Сделано заключение о том, что указанные уровни в неотоженных образах были связаны с дефектами, вызванными макронапряжениями, и неоднородным распределением атомов сверхстехиометрического теллура вдоль слитка, возникающими в процессе выращивания кристаллов PbTe и залечивающимися при отжиге. PACS: 72.20.My, 72.20.Pa, 72.80.Ey

Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968)
С.Н. Лыков, Ю.И. Равич, И.А. Черник. ФТП, 11 (9), 1731 (1977)
Ю.И. Равич, С.А. Немов. ФТП, 36 (1), 3 (2002)
В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН, 145 (1), 51 (1985)
Н.Б. Мустафаев, Г.З. Багиева, Г.А. Ахмедова, З.Ф. Агаев, Д.Ш. Абдинов. ФТП, 43 (2), 149 (2009)
С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. Материаловедение полупроводников и диэлектриков (М., Металлургия, 1988)
П.М. Старик, П.И. Воронюк. Изв. АН СССР. Сер. физ., 28 (8), 321 (1964)
Е.Д. Девяткова, И.А. Смирнов. ФТТ, 3 (8), 2298 (1961)
В.Г. Голубев, Н.И. Гречко, С.Н. Лыков, Б.П. Сабо, И.А. Черник. ФТП, 11 (9), 1738 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель