"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами
Поклонский Н.А.1, Горбачук Н.И.1, Шпаковский С.В.2, Ластовский С.Б.3, Wieck A.4
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Унитарное предприятие "Завод Транзистор" Научно-производственного объединения "Интеграл", Минск, Республика Беларусь
3Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр по материаловедению" Национальной академии наук Беларуси, Минск, Республика Беларусь
4Ruhr--Universitat Bochum, Bochum, Deutschland
Поступила в редакцию: 30 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

Исследованы кремниевые диоды с p+-n-переходом, облученные электронами энергией 3.5 МэВ, флюенсами от 1015 до 4·1016 см-2. Установлено, что зависимость тангенса угла электрических потерь tgdelta от частоты f переменного тока в интервале f=102-106 Гц является немонотонной функцией с двумя экстремумами: минимумом и максимумом. Трансформация зависимостей tgdelta(f) при увеличении флюенса облучения и увеличении температуры отжига диодов обусловлена изменением сопротивления n-Si (базовой области диодов), вызванным накоплением (при увеличении флюенса) или исчезновением и перестройкой (при отжиге) радиационных дефектов. Роль инерционности процесса перезарядки дефектов в формировании tgdelta(f) невелика.
  • Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводников (Л., Наука, 1972)
  • M. McPherson. Physica B, 344 (1-4), 52 (2004)
  • A. Saadoune, L. Dehimi, N. Sengouga, M. McPherson, B.K. Jones. Sol. St. Electron., 50 (7--8), 1178 (2006)
  • А.А. Лебедев, Н.А. Соболев, Б.М. Урунбаев. ФТП, 16 (10), 1874 (1982)
  • А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, А.Н. Якименко. ФТП, 35 (3), 330 (2001)
  • Н.Н. Прибылов, Е.И. Прибылова. ФТП, 30 (4), 635 (1996)
  • А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов. ФТП, 34 (1), 113 (2000)
  • J. Dreсhsel, M. Pfeiffer, X. Zhou, A. Nollau, K. Leo. Synth. Met., 127 (1--3), 201 (2002)
  • В.И. Мурыгин. ФТП, 38 (6), 702 (2004)
  • В.И. Мурыгин, А.У. Фаттахдинов, Д.А. Локтев, В.Б. Гундырев. ФТП, 41 (10), 1207 (2007)
  • L. Dehimi, N. Sengouga, B.K. Jones. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 519 (3), 532 (2004)
  • L. Dehimi, N. Sengouga, B.K. Jones. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 517 (1--3), 109 (2004)
  • A. Straub, R. Gebs, H. Habenicht, S. Trunk, R.A. Bardos, A.B. Sproul, A.G. Aberle. J. Appl. Phys., 97 (8), 083 703 (2005)
  • E. Barsoukov, J.R. Macdonald. Impedance spectroscopy: Theory experiment and applications (N.Y., Wiley, 2005)
  • Н.П. Богородицкий, Ю.М. Волокобинский, А.А. Воробьев, Б.М. Тареев. Теория диэлектриков (Л., Энергия, 1965)
  • A. Tataroglu. Microelectron. Eng., 83 (11--12), 2551 (2006)
  • A. Tataroglu, S. Alti ndal. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 252 (2), 257 (2006)
  • A. Tataroglu, S. Alti ndal. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 254 (1), 113 (2007)
  • I.V. Afandiyeva, I. Dokme, S. Alti ndal, M.M. Bullbul, A. Tataroglu. Microelectron. Eng., 85 (2), 247 (2008)
  • A. Tataroglu, I. Yucedag, S. Alti ndal. Microelectron. Eng., 85 (7), 1518 (2008)
  • P. Vitanov, K. Ivanova, A. Harizanova. Vacuum, 76 (2--3), 207 (2004)
  • S. Kochowski, K. Nitsch. Thin Sol. Films, 415 (1--2), 133 (2002)
  • S. Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz. Thin Sol. Films, 444 (1--2), 208 (2003)
  • S. Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz. Thin Sol. Films, 467 (1--2), 190 (2004)
  • S. Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Szyd owski. Appl. Surf. Sci., 235 (3), 389 (2004)
  • J. Drechsel, M. Pfeiffer, X. Zhou, A. Nollau, K. Leo. Synth. Met., 127 (1--3), 201 (2002)
  • A. Rihani, N. Boutabba, L. Hassine, S. Romdhane, H. Bouchriha. Synth. Met., 145 (2--3), 129 (2004)
  • A.K. Jonscher, M.N. Robinson. Sol. St. Electron., 31 (8), 1277 (1988)
  • A.S. Kavasoglu, N. Kavasoglu, S. Oktik. Sol. St. Electron., 52 (6), 990 (2008)
  • S. Ozden, H. Bayhan, A. Donmez, M. Bayhan. ФТП, 42 (7), 852 (2008)
  • R.A. Kumar, M.S. Suresh, J. Nagaraju. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 85 (3), 397 (2005)
  • D.V. Singh, K. Rim, T.O. Mitchel, J.L. Hoyt, J.F. Gibbons. J. Appl. Phys., 85 (2), 985 (1999)
  • В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе. Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники (М., Наука, 1988)
  • А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  • Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырёв, С.Б. Ластовский, В.И. Кульгачев, Л.П. Ануфриев, И.И. Рубцевич, В.В. Глухманчук, Н.Ф. Голубев, С.В. Шпаковский. Матер. 6-й Межд. конф. "Взаимодействие излучений с твердым телом" (Минск, Беларусь, 2005) с. 380
  • Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырёв, П.М. Гурин, С.Б. Ластовский, С.В. Шведов, С.В. Шпаковский. Известия НАН Беларуси. Сер. физ.-мат, наук, N 3, 92 (2007)
  • Л.С. Берман, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 34 (5), 558 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.