Выполнено моделирование распределения плотности заполненных поверхностных электронных состояний на катодной границе раздела диэлектрик-(люминофор тонкопленочных электролюминесцентных излучателей) в зависимости от энергии на основе экспериментальных данных. Получены зависимости указанных распределений от режима возбуждения излучателей. Показано, что данные распределения сдвигаются в сторону более глубоких уровней поверхностных состояний при уменьшении частоты напряжения возбуждения и увеличении паузы между двумя соседними включенными состояниями излучателей, что соответствует каскадному механизму релаксации электронов, захваченных на поверхностные состояния. Определены: коэффициент каскадного захвата электронов, (4-5)·10^-12 см²/с; мгновенное время жизни электронов до релаксации 0.2-0.25 с; сечение захвата электронов на более глубокие уровни поверхностных состояний - более или порядка (6.7-8.3)·10^-21 см²; максимальные значения плотности заполненных поверхностных состояний на катодной границе, с которых осуществляется туннелирование электронов, ~2.5·10¹³ см^-2, и энергетической плотности указанных поверхностных состояний, 7·10¹⁴ см^-2эВ^-1. Значения квазиравновесного уровня Ферми на поверхности в процессе работы электролюминесцентных излучателей изменяются в пределах 0.9-1.35 эВ в зависимости от режима возбуждения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.