Представлена физическая модель процесса старения МОП-структуры. По результатам проведенных ускоренных испытаний найден энергетический параметр напряженной МОП-структуры --- энергетический уровень напряженных связей.
В.Д. Попов, Н.М. Ройзин. Микроэлектроника, 1 (6), 552 (1973)
J.R. Schwank, D.M. Fleetwood, P.S. Winokur, P.V. Dressendorfer, D.C. Turpin, D.T. Sanders. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-34, N 6, 1152 (1987)
В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС (М., Энергоатомиздат, 1988)
В.И. Эннс, Ю.М. Кобзев. Проектирование аналоговых КМОП-микросхем. Краткий справочник разработчика (М., Горячая линия--телеком, 2005)
Д.А. Барышников, Г.А. Жукова, В.Н. Мордкович. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, N 5 (148), 19 (1981)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1967)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1
В.А. Болисов, Л.Н. Патрикеев, В.Д. Попов. Микроэлектроника, 12 (5), 477 (1983)
Б.М. Яворский, А.А. Детлаф. Справочник по физике (М., Наука, 1977) с. 269
P.J. McWhorter, P.S. Winokur. Appl. Phys. Lett., 48 (2), (1), 133 (1986)
М.М. Малышев, В.Д. Попов, В.Н. Сурин, Д.В. Шубин. В сб.: Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру (М., ФГУП ЦНИИатоминформ, 2007) вып. 3--4, 33 (2007)
Л.Н. Патрикеев, Б.И. Подлепецкий, В.Д. Попов. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем (М., МИФИ, 1975)
E.H. Snow, A.S. Grove, D.F. Fitzgerald. Proc. IEEE, 55 (7), 1168 (1967)