Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO₂ при облучении быстрыми тяжелыми ионами

Качурин Г.А.¹, Черкова С.Г.¹, Скуратов В.А.², Марин Д.В.¹, Черков А.Г.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия Joint Institute for Nuclear Research, Dubna, Russia

Поступила в редакцию: 6 августа 2009 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Слои SiO₂ с избыточным имплантированным Si облучали ионами Xe, 130 МэВ дозами 3·10¹²-10¹⁴ см^-2. После 3·10¹² см^-2 электронная микроскопия выявила ~10¹² см^-2 выделений размерами 3-4 нм. С ростом дозы их размеры и число возрастали. В спектрах фотолюминесценции обнаружена полоса 660-680 нм, интенсивность которой зависела от дозы. После пассивации водородом при 500^oC полоса исчезала, но появлялась новая вблизи 780 нм, характерная для нанокристаллов Si. На основании совокупности всех данных сделан вывод, что полоса 660-680 нм обусловлена несовершенными кремниевыми нанокристаллами, растущими в треках ионов Xe благодаря высоким ионизационным потерям. Немонотонная зависимость интенсивности фотолюминесценции от дозы объясняется различием между диаметрами треков и каскадов смещений, ответственных за дефектообразование.

G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leier, W. Skorupa, R.A. Yankov. Nucl. Instrum. Meth. B, 112, 571 (1997)
G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, D.V. Marin, R.A. Yankov, M. Deutschmann. Nanotechnology, 19, 355 305 (2008)
M. Toulemonde, Ch. Dufour, A. Meftah, E. Paumier. Nucl. Instrum. Meth. B, 166--167, 903 (2000)
H. Hosono, K. Kawamura, Y. Kameshima, H. Kawazoe, N. Matsunami, K. Muta. J. Appl. Phys., 82, 4232 (1997)
R.L. Fleischer, P.B. Price, R.M. Walker. J. Appl. Phys., 36, 3645 (1965); A. Benyagoub. Nucl. Instrum. Meth. B, 245, 225 (2006)
D. Rodichev, Ph. Lavallard, E. Dooryhee, A. Slaoui, J. Perriere, M. Gandais, Y. Wang. Nucl. Instrum. Meth. B, 259 (1996)
P.S. Chaudhari, T.M. Bhave, D. Kanjilal, S.V. Bhoraskar. J. Appl. Phys., 93 (6), 3486 (2003)
P.S. Chaudhari, T.M. Bhave, R. Pasricha, F. Singh, D. Kanjilal, S.V. Bhoraskar. Nucl. Instrum Meth. B, 239, 185 (2005)
W.M. Arnoldbik, N. Tomozeiu, E.D. van Hattum, R.W. Lof, A.M. Vredenberg, F.H.P.M. Habraken. Phys. Rev. B, 71, 125 329 (2005)
B. Garrido Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys., 91 (2), 798 (2002)
M. Lopez, B. Garrido, C. Bonafos, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, A. Claverie. Nucl. Instrum. Meth. B, 178, 89 (2001)
Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, M.-O. Buault, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, O. Kaitasov, H. Bernas. ФТП, 34, 1004 (2000)
S. Cheylan, N. Langford, R.G. Elliman. Nucl. Instrum. Meth. B, 166--167, 851 (2000)
D. Pacifici, E.C. Moreira, G. Franzo, V. Martorino, F. Priolo. Phys. Rev. B, 65, 144 109 (2002)
P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
G. Ghislotti, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K.G. Lynn, A. Gambhir, L.F. Di Mauro, C.E. Bottani. J. Appl. Phys., 79, 8660 (1996)
S.P. Withrow, C.W. White, A. Meldrum, J.D. Budai, D.M. Hembree, jr., J.C. Barbour. J. Appl. Phys., 86, 396 (1999)
Y. Batra, T. Mohanty, D. Kanjilal. Nucl. Instrum. Meth. B, 266, 3107 (2008)
Y.-J. Jung, J.-H. Yoon, R.G. Elliman, A.R. Wilkinson. J. Appl. Phys., 104, 083 518 (2008)
I. Kaiser, N.H. Nickel, W. Fuhs, W. Pilz. Phys. Rev. B, 58, R1718 (1998)
Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, Д.В. Марин, А.К. Кутаковский, А.Г. Черков, В.А. Володин. ФТП, 42, 1145 (2008).
M. Lannoo, C. Delerue, G. Allan. J. Luminesc., 70, 170 (1996)
J.F. Gibbons. Proc. IEEE, 60, 1062 (1972).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель