"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование перехода эпитаксиальной пленки Ge от послойного к трехмерному росту в гетероструктурах с напряженными подслоями SiGe
Дроздов Ю.Н.1, Новиков А.В.1, Шалеев М.В.1, Юрасов Д.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

Представлены результаты исследований особенностей перехода пленки Ge от двумерного к трехмерному росту в различных типах гетероструктур SiGe/Si(001) с захороненными напряженными слоями. Показано, что осаждение напряженного планарного слоя SiGe приводит к существенному уменьшению критической толщины двумерного роста Ge. Обнаружено, что влияние слоев SiGe на рост пленки Ge оказывается весьма существенным не только в случае роста непосредственно на напряженном слое SiGe, но и при заращивании его ненапряженным слоем Si до толщин порядка 3.5 нм. Показано, что модель, в которой влияние захороненных напряженных слоев SiGe учитывается посредством введения феноменологического параметра "глубины затухания эффективной упругой энергии", позволяет с хорошей точностью описать экспериментальные результаты.
  • J.A. Floro, E. Chason, R.D. Twesten, R.A. Hwang, L.B. Freund. Phys. Rev. Lett., 79, 3946 (1997)
  • K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65, 27 (2002)
  • H. Sunamura, Y. Shiraki, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 66, 953 (1995)
  • О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34, 1281 (2000)
  • T. Walther, A.G. Cullis, D.J. Norris, M. Hopkinson. Phys. Rev. Lett., 86, 2381 (2001)
  • Y. Tu, J. Tersoff. Phys. Rev. Lett., 93, 216 101 (2004)
  • A.V. Osipov, S.A. Kukushkin, F. Scmitt, P. Hess. Phys. Rev. B, 64, 205 421 (2001)
  • V.B. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 68, 075 409 (2003)
  • J. Tersoff, C. Teichert, M.C. Lagally. Phys. Rev. Lett., 76, 1675 (1996)
  • A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, V.A. Timofeev, O.P. Pchelyakov. Microelectronics J., 40 (4), 782 (2009)
  • M. De Seta, G. Capellini, F. Evagelisti, C. Ferrari L. Lazzarini, G. Salviati, R.W. Peng, S.S. Jiang. J. Appl. Phys., 102, 042 518 (2007)
  • D.N. Lobanov, A.V. Novikov, N.V. Vostokov, Y.N. Drozdov, A.N. Yablonbskiy, Z.F. Krasilnik, M. Stoffel, U. Denker, O.G. Schmidt. Optical Mater., 27, 818 (2005)
  • Ю.Н. Дроздов, Д.Н. Лобанов, А.И. Никифоров, А.В. Новиков, В.В. Ульянов, Д.В. Юрасов. Поверхность, РСНИ, 7, 61 (2009)
  • Д.В. Юрасов, Ю.Н. Дроздов. ФТП, 42, 5 (2008)
  • X. Chen, F. Wu, Z. Zhang, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 73, 850 (1994)
  • Y.-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.C. Lagally. Phys. Rev. Lett., 65, 1020 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.