Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2010, выпуск 8 » Статья стр. 1135
<<<>>>
Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания
Грехов И.В.1, Костина Л.С.1, Аргунова Т.С.1,2, Белякова Е.И.1, Рожков А.В.1, Шмидт Н.М.1, Юсупова Ш.А.1, Je J.H.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Pohang University of Science and Technology, Pohang, 790-784, Republic of Korea
Поступила в редакцию: 2 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.
PDF версия
Предложен новый способ изготовления подложек SiGe-на-изоляторе - прямое сращивание термически окисленных пластин Si с пластинами Si1-xGex из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Формирование слоев Si1-xGex толщиной не более 10 мкм в композициях SiGe/SiO2/Si осуществлялось химико-механической полировкой. Для увеличения содержания Ge в слое Si1-xGex использовалось термическое окисление. Показано, что увеличение концентрации Ge и процедура термообработок при 1250oC не сопровождаются ухудшением структурных и электрических характеристик слоев Si1-xGex.
  1. K. Rim, R. Anderson, D. Boyd, F. Cradone, K. Chan, H. Chen, S. Chiristansen, J. Chu, K. Jenkins, T. Kanarsky, S. Koester, B.H. Lee, K. Lee, V. Mazzeo, A. Mocuta, D. Mocuta, P.M. Mooney, P. Oldiges, J. Ott, P. Ronsheim, R. Roy, A. Steegen, M. Yang, H. Zhu, M. Ieong, H.-S.P. Wong. Sol. St. Electron., 47, 1133 (2003)
  2. D.L. Harame, S.J. Koester, G. Freeman, P. Cottrel, K. Rim, G. Dehlinger, D. Ahlgren, J.S. Dunn, D. Greenberg, A. Joseph, F. Anderson, J.-S. Rieh, S.A.S.T. Onge, D. Coolbaugh, V. Ramachandran, J.D. Cressler, S. Subbanna. Appl. Surf. Sci., 224, 9 (2004)
  3. S.F. Nelson, K. Ismail, J.O. Chu, B.S. Meyerson. Appl. Phys. Lett., 63 (3), 367 (1993)
  4. K. Ismail, J.O. Chu, B.S. Meyerson. Appl. Phys. Lett., 64 (23), 3124 (1994)
  5. T. Mizuno, S. Takagi, N. Sugiyama, H. Satake, A. Kurobe, A. Toriumi. IEEE Electron. Dev. Lett., 21, (5), 230 (2000)
  6. L.J. Huang, J.O. Chu, D.F. Canaperi, C.P.D.'Emic, R.M. Anderson, S.J. Koester, H.S. Philip Wong. Appl. Phys. Lett., 78 (9), 1267 (2001)
  7. A.N. Larsen. Mater. Sci. Semicond. Proc., 9, 454 (2006)
  8. Т.С. Аргунова, Е.И. Белякова, И.В. Грехов, А.Г. Забродский, Л.С. Костина, Л.М. Сорокин, Н.М. Шмидт, J.M. Yi, J.W. Jung, J.H. Je, Н.В. Абросимов. ФТП, 41 (6), 700 (2007)
  9. И.В. Грехов, Е.И. Белякова, Л.С. Костина, А.В. Рожков, Ш.А. Юсупова, Л.М. Сорокин, Т.С. Аргунова, Н.В. Абросимов, Н.А. Матчанов, J.H. Je. Письма ЖТФ, 34 (23), 66 (2008)
  10. I.V. Grekhov, T.S. Argunova, M.Yu. Gutkin, L.S. Kostina, T.V. Kudryavzeva, E.D. Kim, S.C. Kim. Electron. Lett., 31 (23), 2047 (1995)
  11. Т.С. Аргунова, И.В. Грехов, М.Ю. Гуткин, Л.С. Костина, Е.И. Белякова, Т.В. Кудрявцева. ФТТ, 38 (11), 3361 (1996)
  12. T. Tezuka, N. Sugiyama, S. Takagi. Appl. Phys. Lett., 79 (12), 1798 (2001)
  13. Tomohisa Mizuno, Naoharu Sugiyama, Tsutomu Tezuka, Shin-ichi Takagi. Appl. Phys. Lett., 80 (4), 601 (2002)
  14. N. Abrosimov, S. Rossolenki, W. Thieme, A. Gerhardt, W. Schroder. J. Cryst. Growth, 174, 182 (1997)
  15. O.V. Smirnova, V.V. Kalaev, Yu.N. Makarov, N.V. Abrosimov, H. Riemann. J. Cryst. Growth, 287, 281 (2006)
  16. T.S. Argunova, J.M. Yi, J.W. Jung, J.H. Je, L.M. Sorokin, M.Yu. Gutkin, E.I. Belyakova, L.S. Kostina, A.G. Zabrodskii, N.V. Abrosimov. Phys. Status Solidi A, 204 (8), 2669 (2007)
  17. T.S. Argunova, J.W. Jung, J.H. Je, N.V. Abrosimov, I.V. Grekhov, L.S. Kostina, A.V. Rozhkov, L.M. Sorokin, A.G. Zabrodskii. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 085 404 (2009)
  18. S. Baik, H.S. Kim, M.H. Jeong, C.S. Lee, J.H. Je, Y. Hwu, G. Margaritondo. Rev. Sci. Instrum. 75 (11), 4355 (2004)
  19. Т.С. Аргунова, Р.Ф. Витман, И.В. Грехов, М.Ю. Гуткин, Л.С. Костина, Т.В. Кудрявцева, А.В. Штрубин, J. Hartwig, M. Ohler, E.D. Kim, S.Ch. Kim. ФТТ, 41 (11), 1953 (1999)
  20. J.C. Tsang, P.M. Mooney, F. Dacol, J.O. Chu. J. Appl. Phys., 75 (12), 8098 (1994)
  21. P.W. Li, W.M. Liao, S.W. Lin, P.S. Chen, S.C. Lu, M.J. Tsai. Appl. Phys. Lett., 83 (22), 4628 (2003)
  22. M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
  23. И.В. Антонова, В.Ф. Стась, В.П. Попов, В.И. Ободников, А.К. Гутаковский. ФТП, 34 (9), 1095 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme