Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рекомбинация носителей заряда в арсенид-галлиевом p-i-n-диоде

Айзенштат Г.И.¹, Ющенко А.Ю.², Гущин С.М.³, Дмитриев Д.В.⁴, Журавлев К.С.⁴, Торопов А.И.⁴

¹Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics, Tomsk, Russia

Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics, Tomsk, Russia

³Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия Scientific and Research Institute of Semiconductors, Tomsk, Russia

Scientific and Research Institute of Semiconductors, Tomsk, Russia

⁴Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 23 марта 2010 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Установлено, что в p-i-n-диодах на арсениде галлия при высоких плотностях прямого тока существенную роль играет излучательная рекомбинация носителей заряда. Экспериментально показано, что диоды, работающие в СВЧ интегральных схемах, интенсивно излучают свет в инфракрасном диапазоне с длинами волн от 890 до 910 нм. Полученные результаты указывают на необходимость учета особенностей процессов рекомбинации в арсенид-галлиевых СВЧ p-i-n-диодах.

T. Buber, N. Kinayman, Yong-Hoon Yun, J. Brogle. IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest, 2, 1307 (2003)
А.И. Лебедев. Физика полупроводниковых приборов (М., Физматлит, 2008) с. 41
Ф. Шуберт. Светодиоды (М., Физматлит, 2008) с. 76
W.N. Carr. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-12, 531 (1965)
M. Derdouri, Ph. Leturec, M. Munoze-Yague. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-27, (11), 2097 (1980)
M. Rogalla, R. Geppert, R. Gopprt, M. Hornung, J. Ludwig, Th. Schmidt. R. Irsigler, K. Runge, A. Soldner-Rembold. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 410, 74 (1998)
И.П. Варшни. Собственная излучательная рекомбинация в полупроводниках (М., Наука, 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель