Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Температурная зависимость внутренних оптических потерь в полупроводниковых лазерах (lambda=900-920 нм)
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 5 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2010 г.
Исследованы температурные зависимости излучательных характеристик полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длина волны излучения lambda=900-920 нм). Установлено, что в непрерывном режиме генерации с ростом тока накачки и температуры активной области растет пороговая концентрация в активной области и волноводных слоях лазерной гетероструктуры раздельного ограничения. Экспериментально установлено, что в диапазоне температур 20-140oC величина стимулированного квантового выхода остается неизменной. Показано, что температурная делокализация носителей заряда ведет к росту концентрации носителей заряда в волноводных слоях лазерной гетероструктуры. Суммарный рост внутренних оптических потерь на рассеяние на свободных носителях заряда в слоях активной области и волноводных слоях лазерной гетероструктуры ведет к снижению дифференциальной квантовой эффективности и к насыщению ватт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров в непрерывном режиме генерации.
- Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, А.В. Рожков, Н.А. Рудова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщёв, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 32 (16), 47 (2006)
- I.S. Tarasov, N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, D.A. Vinokurov, V.A. Kapitonov, M.A. Khomylev, A.Yu. Leshko, A.V. Lyutetskiy, A.L. Stankevich. Spectrochim. Acta A, 66 (4--5), 819 (2007)
- N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40 (22), 1413 (2004)
- L.V. Asryan, S. Luryi. IEEE J. Quant. Electron., 40 (7), 833 (2004)
- L.V. Asryan, S. Luryi, R.A. Suris. IEEE J. Quant. Electron., 39 (3), 404 (2003)
- B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. J. Appl. Phys., 97, 113 106 (2005)
- B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. J. Appl. Phys., 97, 123 103 (2005)
- B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. J. Appl. Phys., 101, 123 115 (2007)
- Д.А. Винокуров, В.П. Коняев, М.А. Ладугин, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, А.Н. Петрунов, Н.А. Пихтин, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, А.В. Сухарев, Н.В. Фетисова, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (2), 251 (2010)
- L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (John Wiley \& Sons, Inc., 1995)
- Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 38 (3), 374 (2004)
- С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38 (12), 1477 (2004)
- Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налёт, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39 (3), 388 (2005)
- С.О. Слипченко, И.С. Шашкин, Л.С. Вавилова, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, А.А. Подоскин, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (5), 688 (2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
