"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Модуляционные волны носителей заряда в полупроводниковых слоях n- и p-типа
Мнацаканов Т.Т.1, Левинштейн М.Е.2, Тандоев А.Г.1, Юрков С.Н.1
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

Исследовано влияние зависимости подвижности носителей заряда от напряженности электрического поля mu(F) на распространение волн инжектированных носителей в слоях n- и p-типа в квазинейтральном дрейфовом режиме. Показано, что учет зависимости mu(F) по-разному влияет на движение неосновных носителей в слоях n- и p-типа. Движение волны электронов в p-базе p+-p-n+-структуры замедляется, а движение волны дырок в n-базе p+-n-n+-структуры убыстряется. Полученные результаты дополняют предложенное ранее классическое описание распространения волны неосновных носителей заряда, не учитывавшее эффект зависимостей mu(F). Результаты аналитического расчета подтверждены с помощью численного эксперимента.
  • A.F. Kardo-Sysoev. Ultrawideband Radar Technology ed. by J.D. Taylor (CRC Press, 2000) p. 205
  • P. Rodin, U. Ebert, W. Hundsdorfer, I.V. Grekhov. J. Appl. Phys. 92, 1971 (2002)
  • А.В. Горбатюк, И.В. Грехов, С.В. Коротков, Л.С. Костина, Н.С. Яковчук. Письма ЖТФ, 8, 685 (1982)
  • В.М. Тучкевич, И.В. Грехов. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами (Л., Наука, 1988)
  • S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara. Sol. St. Electon., 47, 1255 (2003)
  • S.N. Vainshtein, J.T. Kostamovaara, Y. Sveshnikov, S. Gurevich, M. Kulagina, V.S. Yuferev, L. Shestak, M. Sverdlov. Electron. Lett., 40, 85 (2004)
  • И.В. Грехов. Изв. РАН. Сер. Энергетика, N 1, 53 (2000)
  • I.V. Grekhov, G.A. Mesyats. IEEE Trans. Plasma Sci., 28, 1540 (2000)
  • С.А. Дарзнек, Ю.А. Котов, Г.А. Месяц, С.Н. Рукин. ДАН, 334, 304 (1994)
  • Ю.А. Котов, Г.А. Месяц, С.Н. Рукин, А.Л. Филатов. ДАН, 330, 515 (1993)
  • Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., Наука, 1968)
  • R.H. Dean. J. Appl. Phys., 46, 585 (1969)
  • С.Л. Румянцев. ФТП, 26, 1955 (1992)
  • T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, M. Das, A.K. Agarwal. Semicond. Sci. Technol., 20, 62 (2005)
  • T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, A.G. Tandoev, P.A. Ivanov, S.N. Yurkov, J.W. Palmour. J. Appl. Phys., 99 (7), 958 (2006)
  • М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  • T.T. Mnatsakanov, A.G. Tandoev, M.E. Levinshtein, S.N. Yurkov. Semicond. Sci. Technol., 24 (7), 62 (2009)
  • T.T. Mnatsakanov, A.G. Tandoev, M.E. Levinshtein, S.N. Yurkov. Submitted to Sol. St. Electron. (2010)
  • Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн, А.Г. Тандоев, С.Н. Юрков. ФТП, 41 (11), 1401 (2007)
  • Э. Камке. Справочник по дифференциональным уравнениям в частных производных первого порядка (М., Наука, 1966)
  • T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Sol. St. Electron., 30 (6), 579 (1987)
  • Т.Т. Мнацаканов, И.Л. Ростовцев, Н.И. Филатов. ФТП, 18 (7), 1293 (1984)
  • T.T. Mnatsakanov. Phys. Status Solidi B, 143 (1), 225 (1987)
  • M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov. IEEE Trans. Electron. Dev., 49 (4), 702 (2002)
  • П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Т.Т. Мнацаканов, J.W. Palmour, A.K. Agarwal. ФТП, 39, 897 (2005)
  • M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, T.T. Mnatsakanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. In: SiC Materials and Devices (Singapore, World Scientific, 2006) v. 1, p. 227.
  • Handbook Series of Semiconductor Parameters: Elementary Semiconductors and A-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=- Compounds Si, Ge, C, GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, InSb, eds M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (Singapore, World Scientific, 1996) v. 1
  • T.T. Mnatsakanov, B.N. Gresserov, L.I. Pomortseva. Sol. St. Electron., 38 (1), 225 (1995).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.