Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование светоизлучающих наноструктур в слоях стехиометрического SiO₂ при облучении тяжелыми ионами высоких энергий

Качурин Г.А.¹, Черкова С.Г.¹, Скуратов В.А.², Марин Д.В.^3,1, Кеслер В.Г.¹, Володин В.А.^3,1

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия Joint Institute for Nuclear Research, Dubna, Russia

³Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 23 марта 2011 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Термически выращенные слои SiO₂ облучали ионами Bi с энергией 700 МэВ дозами (3-10)·10¹² см^-2. Обнаружено, что уже после дозы 3·10¹² см^-2 появляется полоса фотолюминесценции вблизи 600 нм. Ее интенсивность насыщается к дозе ~5·10¹² см^-2. Природа центров излучения исследована методами инфракрасного пропускания, рамановского рассеяния, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, эллипсометрии и по реакции на пассивирующие низкотемпературные отжиги. Установлено, что облучение приводит к уменьшению числа связей Si-O в пользу связей Si-Si. Считается, что фотолюминесценция обусловлена наноструктурами, содержащими избыточный Si и(или) имеющими дефицит O. Реакция восстановления SiO₂ происходит в ионных треках благодаря высоким уровням ионизации и нагрева внутри них. По дозовой зависимости диаметр треков оценен как равный 8-9 нм.

S.T.H. Silalahi, Q.V. Vu, H.Y. Yang, K. Pita, Y. Mingbin. Appl. Phys. A, 98, 867 (2010)
O.M. Feroughi, C. Sternemann, Ch.J. Sahle, M.A. Schroer, H. Sternemann, H. Conrad, A. Hohl, G.T. Seidler, J. Bradley, T.T. Fister, M. Balasubramanian, A. Sakko, K. Pirkkalainen, K. Hamalainen, M. Tolan. Appl. Phys. Lett., 96, 081 912 (2010)
M. Ray, T.S. Basu, A. Jana, N.R. Bandyopadhyay, S.M. Hossian, A.K. Pramanick, R.F. Klie. J. Appl. Phys., 107, 064 311 (2010)
G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, D.V. Marin, R.A. Yankov, M. Deutschmann. Nanotechnology, 19, 355 305 (2008)
D. Rodichev, Ph. Lavallard, E. Dooryhee, A. Slaoui, J. Perriere, M. Gandais, Y. Wang. Nucl. Instr. Meth. B, 107, 259 (1996)
P.S. Chaudhari, T.M. Bhave, D. Kanjilal, S.V. Bhoraskar. J. Appl. Phys., 93 (6), 3486 (2003)
P.S. Chaudhari, T.M. Bhave, R. Pasricha, F. Singh, D. Kanjilal, S.V. Bhoraskar. Nucl. Instr. Meth. B, 239, 185 (2005)
W.M. Arnoldbik, N. Tomozeiu, E.D. van Hattum, R.W. Lof, A.M. Vredenberg, F.H.P.M. Habraken. Phys. Rev. B, 71, 125 329 (2005)
Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Скуратов, Д.В. Марин, А.Г. Черков. ФТП, 44, 544 (2010)
K. Awazu, S. Ishii, K. Shima, S. Roorda, J.L. Brebner. Phys. Rev. B, 62 (6), 3689 (2000)
D.K. Avasthi, Y.K. Mishra, F. Singh, J.P. Stoquert. Nucl. Instr. Meth. B, 268, 3027 (2010)
S.M.M. Ramos, C. Clerc, B. Canut, J. Chaumont, M. Toulemonde, H. Bernas. Nucl. Instr. Meth. B, 166--167, 31 (2000)
M. Toulemonde, S.M.M. Ramos, H. Bernas, C. Clerc, B. Canut, J. Chaumont, C. Trautmann. Nucl. Instr. Meth. B, 178, 331 (2001)
M. Ma, X. Chen, K. Yang, X. Yang, Y. Sun, Y. Jin, Zh. Zhu. Nucl. Instr. Meth. B, 268, 67 (2010)
P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
G. Ghislotti, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K.G. Lynn, A. Gambhir, L.F. Di Mauro, C.E. Bottani. J. Appl. Phys., 79, 8660 (1996)
S.P. Withrow, C.W. White, A. Meldrum, J.D. Budai, D.M. Hembree, jr., J.C. Barbour. J. Appl. Phys., 86, 396 (1999)
Y. Batra, T. Mohanty, D. Kanjilal. Nucl. Instr. Meth. B, 266, 3107 (2008)
R. Salh, H.-J. Fitting. Phys. Status Solidi C, 4 (3), 901 (2007)
А.Н. Карпов, Д.В. Марин, В.А. Володин, J. Jedrzejewski, Г.А. Качурин, E. Savir, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая, Y. Goldstein, I. Balberg. ФТП, 42, 747 (2008)
С.Н. Шамин, В.Р. Галахов, В.И. Аксенова, А.Н. Карпов, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая, В.А. Володин, И.В. Антонова, Т.Б. Ежевская, J. Jedrzejewski, E. Savir, I. Balberg. ФТП. 44, 550 (2010)
I.P. Lisovskyy, V.G. Litovchenko, D.O. Mazunov, S. Kaschieva, J. Koprinarova, S.N. Dmitriev. J. Optoelectron. Adv. Mater., 7 (1), 325 (2005)
X.D. Pi, O.H.Y. Zalloum, T. Roschuk, J. Wojcik, A.P. Knights, P. Mascher, P.J. Simpson. Appl. Phys. Lett., 88, 103 111 (2006)
G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, D.V. Marin, A.G. Cherkov, V.A. Skuratov. Appl. Phys. A, 98, 873 (2010)
R.A Devine. Nucl. Instr. Meth. B, 91, 378 (1994)
M.C. Busch, A. Slaoui, P. Siffert, E. Dootyhee, M. Toulemonde. J. Appl. Phys., 71 (6), 2596 (1992)
P. Kluth, C.S. Schnohr, O.H. Pakarinen, F. Djurabekova, D.J. Sprouster, R. Giulian, M.C. Ridgway, A.P. Byrne, C. Trautmann, D.J. Cookson, K. Nordlund, M. Toulemonde. Phys. Rev. Lett., 101, 175 503 (2008)
G.S. Chen, C.B. Boothroyd, C.J. Humphreys. Appl. Phys. Lett., 62 (16), 1949 (1993)
M. Takeguchi, K. Furuya, K. Yoshihara. Jpn. J. Appl. Phys., 38, 7140 (1999)
M. Takeguchi, M. Tanaka, K. Furuya. Appl. Surf. Sci., 146, 257 (1999)
M. Toulemonde, E. Balanzat, S. Bouffard, J.J. Grob, M. Hage-Ali, J.P. Stoquert. Nucl. Instr. Meth. B, 46, 64 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель