Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Мелебаев Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Магунов А.Н.
Институт микроэлектроники РАН, Ярославль
4
Сергинов М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иову М.С.
Институт прикладной физики Академии наук Республики Молдова
3
Венгер Е.Ф.
Институт полупроводников АН Украины
3
Гончаренко А.В.
Институт полупроводников АН Украины
3
Мишин Г.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Струц А.В.
С.-Петербургский государственный университет
3
Федчук А.П.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Краснов А.Н.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Ваксман Ю.Ф.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Пуртов Ю.Н.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
3
Лисаченко А.А.
Санкт-Петербургский государственный университет
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Синявский Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург
2
Соловьев В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург
2
Зайнутдинов А.Х.
Ташкентский государственный университет
2
Касымов А.А.
Ташкентский государственный университет
2
Магрупов М.А.
Ташкентский государственный университет
2
Михневич В.В.
Витебское отделение Института физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси
2
Китык И.В.
Львовский университет им. Ив. Франко
2
Козлов В.А.
Институт общей физики, Москва
2
Рандошкин В.В.
Институт общей физики, Москва
2
Логунов М.В.
Институт общей физики, Москва
2
Шушерова Е.Э.
Институт общей физики, Москва
2
Терехов А.С.
Институт физики полупрводников РАН, Новосибирск
2
Климов А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гридин А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фомин Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Резников В.А.
С.-Петербургский государственный университет
2
Еремин В.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вербицкая Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Врубель М.М.
Белорусский государственный университет, Минск
2
Берченко Н.Н.
Львовский политехнический институт Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
2
Медведев Ю.В.
Львовский политехнический институт Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
2
Кузьмичев Н.Д.
Мордовский государственный университет, г. Саранск
2
Алексеев А.Е.
Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова
2
Норинский Л.В.
Московский радиотехнический институт
2
Андрухив A.M.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Миронов К.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кладько В.П.
Институт полупроводников АН Украины, Киев
2
Крыштаб Т.Г.
Институт полупроводников АН Украины, Киев
2
Семенова Г.Н.
Институт полупроводников АН Украины, Киев
2
Самохвалов А.А.
Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург
2
Лалетин В.М.
Витебское отделение Института физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси
2
Тилевов С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гомоюнова М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2