"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
11632
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
84

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2007 год:
Статья
Просмотров
Излучение электрически короткой антенны из ограниченного объема газоразрядной плазмы
16
Спектры малоуглового рассеяния света взвесями дисперсных частиц в поглощающих жидкостях
16
Выявление связи между осцилляторами по коротким временным рядам: условие применимости метода моделирования фазовой динамики
16
Определение расстояния до объекта с помощью частотно-модулированного полупроводникового лазерного автодина
15
Многочастичные процессы при полевой электронной эмиссии из структурированного углерода
15
Текстурированные пленки CdO, полученные методом фототермического окисления
15
Интерференция встречных волн в невзаимной киральной среде
15
Изменение типа резонансного отражения электромагнитного излучения в структурах "нанометровая металлическая пленка-диэлектрик"
14
Процессы самоорганизации и седиментационная устойчивость суспензий детонационных наноалмазов
14
Способы управления потоком активного азота при росте A3-нитридов методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией
14
Влияние потенциала смещения на структуру тонких пленок диборида тантала
14
Высокоскоpостная сверхпластичность нанокристаллического алюминиевого сплава 1570
14
Самоорганизация наноструктур теллуридов свинца и олова на Ван-дер-Ваальсовой поверхности селенида галлия (0001)
13
Влияние примеси вольфрама на свойства пленок оксидов ванадия
12
Плазменный релятивистский СВЧ-усилитель с диапазоном частот от 2 до 3 GHz
12
О комплексных волнах в невзаимных направляющих структурах
12
Стабилизация спектра излучения фемтосекундного титан-сапфирового лазера
12
Квантовые интерференционные фильтры на оксидных сверхпроводниковых переходах для высокочастотных применений
12
Динамика формирования плазменного потока в импульсном ускорителе при постоянном давлении
12
Относительная энтропия как мера степени перемешивания зашумленных систем
11
Статья
Просмотров
Спектры малоуглового рассеяния света взвесями дисперсных частиц в поглощающих жидкостях
972
Управляемое гибридное светолазерное термораскалывание стекол
916
Излучение электрически короткой антенны из ограниченного объема газоразрядной плазмы
892
Изменение типа резонансного отражения электромагнитного излучения в структурах "нанометровая металлическая пленка-диэлектрик"
862
Акустостимулированное изменение коэффициента поглощения арсенида галлия в диапазоне длин волн lambda=0.81/ 1.77 mum
768
Текстурированные пленки CdO, полученные методом фототермического окисления
763
Генерация ионов H- в низковольтном ксенон-водородном разряде
747
Стабилизация спектра излучения фемтосекундного титан-сапфирового лазера
745
Синтез и оптические свойства наночастиц диоксида ванадия в нанопористых стеклах
745
Относительная энтропия как мера степени перемешивания зашумленных систем
730
Численное решение задачи о формировании течения в цилиндрической трубе при открытии кольцевой щели
721
Определение расстояния до объекта с помощью частотно-модулированного полупроводникового лазерного автодина
719
Локализация импульсного энерговклада при инициировании поперечного поверхностного разряда в потоке с ударной волной
712
Высокоскоpостная сверхпластичность нанокристаллического алюминиевого сплава 1570
710
Влияние примеси вольфрама на свойства пленок оксидов ванадия
701
Зависимость приращения коэффициентов подвижности ионов нитросоединений в воздухе от напряженности электрического поля при варьировании концентрации паров воды
691
Особенности динамики почти консервативного отображения Икеды
690
Бифуркации удвоения периода колебаний барабанной перепонки при увеличении звукового давления
683
Некоторые особенности синхронизации короткими импульсами системы Лоренца
682
Процессы самоорганизации и седиментационная устойчивость суспензий детонационных наноалмазов
682
Феномены комплексной аналитической динамики в системе связанных неавтономных осцилляторов с поочередным возбуждением
682
Синтез наноструктур окиси цинка при окислении Zn суб- и сверхкритической водой
681
Каталитические слои для топливных элементов на основе полианилина и композитных слоев alpha-C<Pt>, полученных магнетронным распылением
674
Динамика изменения работы выхода адсистемы W(112)/Cu
673
Динамика пульсаций при взрывном вскипании струй перегретой воды
672
Применение метода мессбауэровской спектроскопии для анализа фазового состава наночастиц на основе железа
672
Способы управления потоком активного азота при росте A3-нитридов методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией
672
Высокотемпературная сверхэластичность при B2-L10 мартенситных превращениях в кристаллах Co40Ni33Al27
671
Сверхпроводимость высоко- и низкотемпературных сверхпроводников как бозе-эйнштейновская конденсация (Разбавленные металлы).
670
Новые магнитные полуметаллические материалы на основе ионных изоляторов, допированных немагнитными примесями: система MgO + B, C, N
661
Электронные свойства открытых полупроводниковых квантовых точек
660
Прогнозирование потери устойчивости нагруженных элементов конструкций методом акустической эмиссии
658
Фотолюминесценция нанокристаллов Ga2S3:Eu
656
Модификация поверхности трековой мембраны ультратонкими пленками полисилоксановых блок-сополимеров
655
Электрические и оптические свойства тонких пленок гидратированного пентаоксида ванадия при электрохромном эффекте
652
Прочность углеродных волокон, полученных каталитическим газофазным осаждением
650
Модель эмиссии с клина в режиме ограничения тока объемным электрическим зарядом
650
Сильноточный электронный пучок в разряде с полым катодом и рабочим давлением до 100 Torr
650
Дислокационно-дисклинационные трансформации и обратный эффект Холла-Петча в нанокристаллических материалах
647
Электрооптика немато-холестерических капель в постоянном электрическом поле
645
Диффузное рассеяние рентгеновских лучей от кристалла, промодулированного поверхностной акустической волной
642
In situ контроль структуры кристаллов бестигельного Si (111) на основе поведения реберных выступов
640
Многоэмиттерный полевой источник ионов на основе наноструктурированных углеродных материалов
639
Процессы конверсии метана в плазме, создаваемой импульсно-периодическим пучком электронов и несамостоятельным разрядом
636
Интерференция встречных волн в невзаимной киральной среде
636
Акустические поверхностные плазмоны в ограниченном p-n-переходе
633
Пластичность нанокристаллических материалов с бимодальной зеренной структурой
632
Оценка механических свойств межзеренной фазы в нанокристаллических и субмикроструктурных материалах с использованием модели упругой многослойной периодической среды
632
Дегазация жидкости при течении в трубе в условиях падения давления
632
Применение диафрагмирования для снижения шумов в оптической системе регистрации атомно-силового микроскопа
630
Автор
Организация
Статей
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия Беларусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Институт твердого тела и полупроводников Беларусской АН, Беларусь Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, С.-Петербург, Россия
6
Сорокин Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дерягин А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сиббет В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Рафаилов Э.У.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Усанов Д.А.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
4
Скрипаль А.В.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
4
Николаев Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия Беларусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Институт твердого тела и полупроводников Беларусской АН, Беларусь Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, С.-Петербург, Россия
4
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия Беларусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Институт твердого тела и полупроводников Беларусской АН, Беларусь Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, С.-Петербург, Россия
4
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия Беларусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Институт твердого тела и полупроводников Беларусской АН, Беларусь Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, С.-Петербург, Россия
4
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
4
Нечитайлов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт высокомолекулярных соединений РАН, С.-Петербург
4
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Журтанов Б.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Стоянов Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кальянов Э.В.
Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинский филиал), Фрязино (Моск. обл.)
3
Денисов Г.Г.
Институт прикладной физики РАН, Н. Новгород Институт ядерной физики СО РАН им. Будкера, Новосибирск Исследовательский центр Карлсруe, Германия
3
Кузиков С.В.
Институт прикладной физики РАН, Н. Новгород Институт ядерной физики СО РАН им. Будкера, Новосибирск Исследовательский центр Карлсруe, Германия
3
Кузнецов А.П.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
3
Соболев М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Булович С.В.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
3
Григорьев Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Калмыков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Соколов В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Михеев Г.М.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Могилева Т.Н.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Сафонов К.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург
3
Трушин Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург
3
Туйчиев Ш.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия Таджикский государственный национальный университет, Душанбе, Республика Таджикистан
3
Возняковский А.П.
Федеральное государственное предприятие Научно-исследовательский институт синтетического каучука им. акад. С.В. Лебедева, Санкт-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
3
Кудояров М.Ф.
Федеральное государственное предприятие Научно-исследовательский институт синтетического каучука им. акад. С.В. Лебедева, Санкт-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
3
Каталуна М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Новиков И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Васильев П.Я.
ФГУП "ГОИ им. С.И. Вавилова", С.-Петербург С.-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ) С.-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики (ИТМО)
2
Каманина Н.В.
ФГУП "ГОИ им. С.И. Вавилова", С.-Петербург С.-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ) С.-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики (ИТМО)
2
Сиповская М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Куксенко В.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Томилин Н.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Махмудов Х.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бенин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
38
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
7
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
7
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
6
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
4
Саратовский государственный университет
4
Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург
3
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
3
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
3
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
3
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
3
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва
3
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик
2
Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинский филиал), Фрязино (Моск. обл.)
2
Воронежский государственный университет
2
Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
2
Институт теплофизики СО РАН, Новосибирск
2
Обнинский государственный технический университет атомной энергетики
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
2
Институт радиотехники и электроники РАН, Саратовский филиал
2
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия
2
Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, Новосибирск
2
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, С.-Петербург
2
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, С.-Петербург
2
Институт проблем машиноведения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
2
Сургутский государственный университет
2
Институт химии твердого тела УрО РАН, Екатеринбург
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
2
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана
2
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова", С.-Петербург Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН, Гатчина
1
School of Physics and Astronomy, University of St. Andrews, North Haugh, St Andrews, KY16 9SS UK Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Dundee DD1 4HN, UK
1
ФГУП "ГОИ им. С.И. Вавилова", С.-Петербург С.-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ) С.-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики (ИТМО)
1
Бакинский государственный университет, Азербайджан
1
Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино
1
ФГУП "НПО им. С.А. Лавочкина", Химки
1
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск
1
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
1
С.-Петербургский государственный политехнический университет С.-Петербургский государственный университет
1
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАНУ, Киев Институт общей и неорганической химии им. В.И. Вернадского НАНУ, Киев
1
Орловский государственный технический университет
1
Петербургский государственный университет путей сообщения, С.-Петербург
1
Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Московская область
1
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАНУ, Донецк, Украина
1
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Россия
1
Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики, Алматы, Казахстан
1
Отдел физических проблем при Президиуме Бурятского научного центра СО РАН, Улан-Удэ
1
Тихоокеанский океанологический институт ДВО РАН им. В.И. Ильичева, Владивосток
1
Объединенный Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси, Минск
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия Беларусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Институт твердого тела и полупроводников Беларусской АН, Беларусь Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, С.-Петербург, Россия
1

Учредители

Издатель

© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme