"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
11632
Распределение статей по годам:
579
578
564
523
469
432
431
429
434
388
388
373
375
353
349
342
343
342
329
308
327
332
334
326
315
291
322
338
324
310
84

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1994 год:
Статья
Просмотров
Переформирование пикосекундных оптических импульсов многослойной полупроводниковой структурой с ``быстрым'' поглощением
15
Окислительно-восстановительные процессы и электрические свойства в керамике YBa 2Cu 3O y
14
Стимулированная электронным облучением перезарядка глубоких уровней в Si при лавинном пробое
14
Исследование нелинейного фотоотклика реверсивных фотохромных стекол методом фазомодулированных пучков
14
Разрушение промежуточного порядка в кластеризованной структуре аморфных сплавов CdGeAs2--Mn
14
Влияние термоэлектронной эмиссии на компенсацию объемного заряда широкого пучка ионов низкой энергии
14
Интерферометрический датчик с чувствительным элементом на основе двулучепреломляющего волокна и спектральной обработки сигнала
14
Светодиоды на основе InAsSbP для спектрального диапазона 2.6--3.0 мкм(T=300 K)
13
Профили радиоактивных изотопов, образованных в халькопирите CuInSe 2 при облучении высокоэнергетичными протонами, дейтонами и альфа-частицами
13
Коллективное ускорение ионов на основе резонансной поверхностной фотоионизации
13
Фоточувствительность гетеропереходов InSe/CuAlSe2
13
Собственные колебания пьезоэлементов из объемных кристаллов ZnSe
13
Люминесцентный датчик концентрации кислорода
13
К вопросу о сокращении эффективной длины кумулятивной струи при внедрении в керамические материалы
12
Механизмы ориентации микротрещин в оптических стеклах, образованных излучением лазера с пассивной синхронизацией мод
12
Особенности роста эпитаксиальных слоев карбида кремния из газовой фазы, создаваемой магнетронным реактивным распылением
12
О дифракции электромагнитной волны на одномерно периодической решетке из металлических спиралей
12
Автополяризация света в маломодовом волокне
12
Обращенный эффект дальнодействия в полупроводниковых кристаллах
12
Размерный эффект снижения пороговой интенсивности оптического плазмообразования
12
Статья
Просмотров
Эффективная диэлектрическая проницаемость макрополосковой линии на сапфире ( r-срез)
748
Изменение знака топологического заряда оптических вихрей поля многомодового волокна
660
Физико-химические процессы на границе раздела контактов Au/Pt/Cr/Pt/GaAs, подвергнутых СВЧ отжигу
612
О дифракции электромагнитной волны на одномерно периодической решетке из металлических спиралей
599
Представление и обработка информации в квантовых компьютерах
597
Генерация векторных солитонов в волоконном лазере
593
Эффективная сенсибилизация люминесценции ионов неодима трехвалентным титаном в фосфатном стекле
586
Определение величины силы осциллятора оптического перехода для центров окраски в тонких пленках WO3
584
Новая методика измерения векторных характеристик поляризационно-чувствительных сред
579
Видимый свет при фотовозбуждении живой ткани (кожи) человека
568
Метод управления параметрами люминесценции пористого кремния в видимой области спектра
566
Размерный эффект снижения пороговой интенсивности оптического плазмообразования
564
Наблюдение пикосекундных оптических импульсов с солитонным центром в одномодовом волоконном световоде
560
Спонтанное разрушение внутримодовой фононной когерентности в автономном парамагнитном фазере
553
Ударно-акустический пробой в жидкости. Кинетика вынужденного акустического рассеяния при фокусировке ударных волн
551
Критический квазиаттрактор: бесконечное самоподобное множество устойчивых циклов, возникающее при двухпараметрическом анализе перехода к хаосу
546
Влияние длительности импульса электронного пучка на эффективность удаления окислов серы из дымовых газов
544
Полупроводниковый лазер на основе квантово-размерной структуры Zn1-xCdxSe/ZnSe с оптической накачкой
542
Исследование динамики и кинетики СВЧ стримера в азоте и воздухе
540
Особенности поведения параметров плазмы инертного газа в холловском МГД-канале при развитии ионизационной неустойчивости
534
Механизм аномальной эрозии диэлектрика под действием плазменного потока
532
Эффект размерной релаксации в кластерах серебра на графите
532
О распределении атомов примеси при delta-легировании в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии
531
К вопросу об исследовании ядерных реакций 2H( d,gamma) 4He и 2H( p,gamma) 3He при низких энергиях
529
О конкуренции сверхпроводящих фаз 2212 и 2223 при переходе аморфное состояние--кристалл в пленках Bi1.8Pb0.2Sr2Ca2Cu3 O10+x
524
Псевдогетеродинный метод приема сигналов дифференциальной фазовой модуляции в двухмодовом волоконном световоде
524
Лазерно-интерферометрический комплекс с системой автокомпенсации тепловых и механических помех для детектирования разности частот миллигерцевого диапазона
523
Эффект памяти в жидкокристаллических слоях нематического типа
523
SiC полевой транзистор с малым пороговым напряжением
522
Исследование возможностей фотоприемного устройства на основе двухфункционального ФЭУ с ОЭС фотокатодом и высокостабильного SiC светодиода
521
Базовая ячейка синхронных джозефсоновских структур на одиночных квантах магнитного потока
519
Перестраиваемый светодиод на основе предельного соединения GaInAsSb
518
Изучение особенностей синхротронного света в системе FOFDOD
516
Возможности определения энергии миграции точечных дефектов методом атомно-силовой микроскопии
514
Эффект ''памяти'' при импульсном перемагничивании пленок феррит--гранатов, начинающемся зародышеобразованием
513
Использование акустического микроскопа в дефектоскопии конденсированных материалов
510
Некоторые точные решения задачи о нелинейных упругих волнах в пластине
510
Распространение света в неоднородно-намагниченной среде со слабым двулучепреломлением: эксперимент с оптическим вентилем Фарадея
510
О структуре колебаний, затухающих в среде с дислокациями
508
Видимая фотолюминесценция растений
508
Статистика флуктуационных пробоев жидкой проводящей поверхности в электрическом поле
507
Светодиоды на основе InAsSbP для спектрального диапазона 2.6--3.0 мкм(T=300 K)
507
Подвижность носителей заряда в азиде серебра
507
Влияние на режим горения оптического разряда рефракции лазерного излучения на плазме разряда
506
Послойный анализ тонкопленочных образцов методом масс-спектрометрии вторичных ионов с дополнительной регистрацией тока образца
506
Фазовая модуляция оптического излучения в структурах с поверхностными плазмонами
506
Интерферометрический датчик с чувствительным элементом на основе двулучепреломляющего волокна и спектральной обработки сигнала
506
Окислительно-восстановительные процессы и электрические свойства в керамике YBa 2Cu 3O y
506
Тепловой пробой структурно-неоднородной среды
506
К механизму роста кристаллически совершенных ВТСП пленок
504
Автор
Организация
Статей
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Санкт-Петербург
9
Шпунт В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Воляр А.В.
Симферопольский государственный университет им. М.В.Фрунзе
5
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Санкт-Петербург
5
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН Томск
4
Юшин Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Санкт--Петербург
4
Лапаева С.Н.
Симферопольский государственный университет им.М.В.Фрунзе
4
Кузнецов В.А.
Институт проблем механики, Москва
4
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Санкт-Петербург
4
Тимофеев Ф.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Саков Д.М.
Институт физической химии Москва
4
Щербаков А.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
4
Липсон А.Г.
Институт физической химии Москва
4
Чувыров А.Н.
Отдел физики Уфимского научного центра
4
Месяц Г.А.
Институт электрофизики УрО РАН Екатеринбург
3
Максимов А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мальцев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Козловский В.В.
Научно-исследовательский институт ''Гириконд'' Санкт-Петербург
3
Еремин В.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ильяшенко И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Фадеева Т.А.
Симферопольский государственный университет им. М.В.Фрунзе
3
Матисов Б.Г.
Санкт-Петербургский государственный технический университет
3
Именков А.Н.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург
3
Лившиц Д.А.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Санкт-Петербург
3
Рафаилов Э.У.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Санкт-Петербург
3
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Санкт-Петербург
3
Малкович Р.Ш.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Санкт-Петербург
3
Скорятина Е.А.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Санкт-Петербург
3
Шенгуров В.Г.
Институт прикладной физики Нижний Новгород
3
Лазерсон А.Г.
Государственное научно-производственное предприятие ''Алмаз'' Саратов
3
Бирюлин Ю.Ф.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Санкт-Петербург
3
Ведмеденко Е.Ю.
Институт физики АН Украины Киев
3
Стучинская М.В.
Институт физики АН Украины Киев
3
Кувичка И.Н.
Институт физики АН Украины Киев
3
Курик М.В.
Институт физики АН Украины Киев
3
Гюре М.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Санкт-Петербург
3
Айдинли А.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Санкт-Петербург
3
Сюзар Ш.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Санкт-Петербург
3
Трифонов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Урих К.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коровин С.Д.
Институт сильноточной электроники СО РАН Томск
2
Ростов В.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН Томск
2
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Коростелев С.Ю.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН Томск
2
Негрескул С.И.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН Томск
2
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург АО ''Полупроводниковые приборы'' Санкт-Петербург
2
Смольский О.В.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург АО ''Полупроводниковые приборы'' Санкт-Петербург
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
31
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Санкт-Петербург
29
Санкт-Петербургский государственный технический университет
18
Институт радиотехники и электроники Фрязинская часть
6
Институт прикладной физики Нижний Новгород
6
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
6
Ярославский государственный университет
5
Институт физической химии Москва
5
Институт физики прочности и материаловедения Томск
4
Московский инженерно-физический институт
4
Институт общей физики Москва
4
Харьковский государственный университет
3
Институт микроэлектроники Ярославль
3
Симферопольский государственный университет им. М.В.Фрунзе
3
Донецкий физико-технический институт
3
Институт физики АН Украины Киев
3
Институт радиотехники и электроники Москва
3
Пермский государственный университет
3
Институт проблем механики Москва
3
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Санкт--Петербург
3
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН Томск
2
Научно-исследовательский институт ''Гириконд'' Санкт-Петербург
2
Сыктывкарский государственный университет
2
Санкт-Петербургский государственный университет
2
Совместная хозрасчетная лаборатория ''Магнитооптоэлектроника'' Института общей физики РАН при Мордовском государственном университете им.Н.П.Огарева
2
Симферопольский государственный университет им.М.В.Фрунзе
2
Самарский государственный технический университет
2
Институт кибернетики Тбилиси, Грузия
2
Саратовский Государственный университет им.Н.Г.Чернышевского
2
Институт теплофизики Новосибирск
2
Харьковский политехнический институт
2
Институт физики полупроводников Киев, Украина
2
Ереванский государственный университет
2
Санкт-Петербургский институт точной механики и оптики
2
Донецкий физико-технический институт Украина
2
Центральный научно-исследовательский институт измерительной аппаратуры Саратов
2
Государственный оптический институт им. С.И.Вавилова Санкт-Петербург
2
Институт физики металлов Екатеринбург
2
Государственное научно-производственное предприятие ''Алмаз'' Саратов
2
Ростовский государственный университет
2
Институт радиотехники и электроники Саратовский филиал
2
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Санкт--Петербург
2
Отдел физики Уфимского научного центра
2
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
2
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Санкт-Петербург
2
Томская государственная академия систем управления и радиоэлектроники
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Институт электрофизики Екатеринбург
2
Ташкентский государственный университет
1
Институт сильноточной электроники СО РАН Томск
1

Учредители

Издатель

© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme