Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Волкова Л.Н.
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
4
Чиннов Е.А.
Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск
4
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Храмов А.Е.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
4
Устинов А.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
4
Александров В.А.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
3
Ильичев Э.А.
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
3
Полторацкий Э.А.
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
3
Рычков Г.С.
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва
3
Каманина Н.В.
ФГУП "НПК ГОИ им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург
3
Головин А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кижаев С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Калинин Ю.А.
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
3
Стародубов А.В.
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
3
Глебова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Нечитайлов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гришин С.В.
Саратовский государственный университет
3
Шараевский Ю.П.
Саратовский государственный университет
3
Гинзбург Н.С.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
3
Песков Н.Ю.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
3
Сергеев А.С.
Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
3
Садовой А.В.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Россия, Саратов Queen Mary University of London. E1 4NS, London, UK Max Planck Institute of Colloids and Interfaces, Am Muehlenberg 1,, Potsdam, Germany Institute of Material Research and Engineering, 3 Research Link,, Singapore
3
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Москаленко О.И.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
3
Короновский А.А.
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
3
Фетисов Ю.К.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
3
Srinivasan G.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
3
Данилов Ю.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
3
Михеев Г.М.
Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
3
Попов В.В.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (Саратовский филиал)
3
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Бураченко А.Г.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
3
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Fraunhofer Institut Nachrichtentechnik, Heinrich Hertz Institut, Berlin, Einstainufer 37, Germany
3
Бормонтов А.Е.
Воронежский государственный университет, Воронеж
3
Томасов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Зеленина Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бугрова А.И.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) МИРЭА, Москва
3
Липатов А.С.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) МИРЭА, Москва
3
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Псахье С.Г.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск Томский государственный университет Томский политехнический университет
3
Шаповалов В.И.
Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова РАН, Санкт-Петербург
3
Акчурин Р.Х.
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ) OOO "Сигм Плюс", Москва
2
Богинская И.А.
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ) OOO "Сигм Плюс", Москва
2
Вагапова Н.Т.
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ) OOO "Сигм Плюс", Москва
2
Мармалюк А.А.
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ) OOO "Сигм Плюс", Москва
2
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Carnegie Laboratory of Physics, Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Nethergate, Dundee, DD1 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St.Andrews, North Haugh, St.Andrews, KY169SS, UK
2
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук