Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Об особенностях роста пленок высшего силицида марганца на кремнии

Орехов А.С., Камилов Т.С., Гаибов А.Г., Вахабов К.И., Клечковская В.В.¹

¹Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 5 мая 2009 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Выращивались пленки слицида марганца на кремнии в условиях диффузионного легирования кремния из парогазовой фазы в равновесных и неравновесных условиях в зависимости от весовых значений лигатуры. Выявлены некоторые особенности динамики их формирования.

Zhang L., Ivey D. // J. Mater. Sci. 1991. Vol. 2. P. 116
Bost M.C., Mahan J.E. // J. Electron Mater. 1987. Vol. 16. P. 389
Eizenberg M., Tu K.N. // J. Appl. Phys. 1982. Vol. 53. P. 6885
Sundstrom K.E., Peterson S., Tove P.A. // Phys. Status Solidi. A. 1973. Vol. 20. P. 653
Wang J., Hirai M., Kusaka M., Iwami M. // Appl. Surf. Sci. 1997. Vol. 113/114. P. 53
Krontiras Ch., Pomoni K., Roilos M. // J. Appl. Phys. 1988. Vol. 21. P. 509
Lian Y.C., Chen L.J. // Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 48. P. 359
Mogilatenko A. Electron Microscopy Characterzation of Manganese Silicide Layers on Silicon. Ph. D. Thesis. Chemnitz: TU Chemnitz, 2003. 134.p
Kamilov T.S., Uzokov A.A., Kabilov D.K. et al. // Proc. 22nd Int. Conf. on Thermoelectrics. France, 2003. P. 388
Kamilov T.S., Kabilov D.K., Samiev I.S. et al. // Proc. 24th Int. Conf. on Thermoelectrics. Clemson, SC, USA, 2005. P. 415
Камилов Т.С., Кабилов Д.К., Самиев И.С. и др. // ЖТФ. 2005. Т. 75. Вып. 8. С. 140
Барыбин А.А., Сидоров В.Г. Физико-технологические основы электроники. СПб: Изд-во "Лань", 2001. 272 с
Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов. М.: Высш. школа, 1974. 400 с
Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута и др. М.: Мир, 1982. 389 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель