Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2010, выпуск 8 » Статья стр. 109
<<<>>>
Воздействие латеральных растягивающих напряжений на низкотемпературное электро- и магнетосопротивление наноразмерных пленок La0.67Ca0.33MnO3
Бойков Ю.А.1, Данилов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.
PDF версия
Варьирование толщины (d1=7-70 nm) буферной прослойки из титаната стронция, введенной между манганитной пленкой La0.67Ca0.33MnO3 и подложкой (001)La0.29Sr0.71Al0.65Ta0.35O3, позволило направленно воздействовать на эффективное рассогласование m в параметрах их кристаллических решеток. С увеличением m электросопротивление rho пленок возрастало, а максимум на зависимости rho(T) сдвигался в сторону низких температур. При T<150 K зависимость rho манганитных пленок от температуры следовала соотношению rho=rho1+rho2T4.5, где параметр rho1 не реагировал на изменение температуры и магнитного поля. Коэффициент rho2 уменьшался с ростом напряженности магнитного поля, но возрастал с увеличением рассогласования в параметрах кристаллических решеток пленки и подложки, когда эффективная концентрация дырок в манганитных слоях уменьшалась.
  1. Parkin S.S.P., Roche K.P., Samant M.G., Rice P.M., Beyers R.B., Scheuerlein R.E., O'Sullivan E.J., Brown S.L., Bucchigano J., Abraham D.W., Lu Y., Rooks M., Trouilloud P.L., Wanner R.A., Gallagher W.J. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85. N 8. P. 5828
  2. Pannetier M., Fermon C., Goff G. Le, Simola J., Kerr E. // Science. 2004. Vol. 304. N 5677. P. 1648
  3. Lynn J.W., Erwin R.W., Borchers J.A., Santoro A., Huang Q., Peng J.-L., Greene R.L. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81. N 8. P. 5488
  4. Lynn J.W., Erwin R.W., Borchers J.A., Huang Q., Santoro A., Peng J.-L., Li Z.Y. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 76. N 21. P. 4046
  5. Heffner R.H., Sonier J.E., Mac Laughlin D.E., Nieuwenhuys G.J., Ehlers G., Mezei F., Cheong S.-W., Gardner J.S., Roder H. // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol. 85. N 15. P. 3285
  6. Kamins T.I. // J. Appl. Phys. 1971. Vol. 42. N 11. P. 4357
  7. Lu C.J., Wang Z.L., Kwon C., Jia Q.X. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 88. N 7. P. 4032
  8. Wang D.Y., Wang J., Chan H.L.W., Choy C.L. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 101. N 4. P. 043 515-1
  9. Бойков Ю.А., Клаесон Т. // ФТТ. 2004. Т. 46. Вып. 7. С. 1231
  10. Chakoumakos B.C., Scholm D.G., Urbanik M., Luine J. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 83. N 4. P. 1979
  11. Dai D., Zhang J., Mook H.A., Lion S.-H., Dowben P.A., Plummer E.W. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. N 6. P. R3694
  12. Wyckoff R.W.J. Crystal Structure. 2nd Ed. Vol. 2. N Y: Interscience Publ. 1964. P. 394
  13. Boikov Yu.A., Gunnarsson R., Claeson T. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 96. N 1. P. 435
  14. Gommert E., Cerva H., Wecker J., Samwer K. // J. Appl. Phys. 1990. Vol. 85. N 8. P. 5417
  15. Specht E.D., Clausing R.E., Heathly L. // J. Mater. Res. 1990. Vol. 5. N 11. P. 2351
  16. Kubo K., Ohata N. // J. Phys. Soc. Jpn. 1972. Vol. 33. N 1. P. 21
  17. Jaime M., Lin P., Salamon M.B., Han P.D. // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 58. N 10. P. R5901
  18. Бойков Ю.А., Волков М.П. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. Вып. 22. С. 50

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme