Рассчитывается распределение потенциала вблизи системы электродов на границе полупроводника и диэлектрика. Область пространственного заряда в полупроводнике описывается в модели Шоттки. Предполагается, что среды имеют одинаковые диэлектрические проницаемости. Рассматривается двумерная задача, когда все величины не зависят от одной координаты вдоль поверхности полупроводника. Нелинейная задача экранирования сводится к нахождению формы слоя Шоттки и решается методами теории аналитических функций. Теория иллюстрируется на примере расчета потенциала узкого металлического электрода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.