Методом газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе впервые созданы две анизотипные разновидности GaP/Si гетероструктур (n-GaP/p-Si, p-GaP/n-Si). Для получения GaP слоев использовались кремниевые подложки p- и n-типа проводимости (КЭФ и КДБ-001, ориентированные в плоскости (100), с разориентацией 4 ... 6^o в направлении [110]). Оба типа GaP/Si гетероструктур имеют одинаковый излом на C^-2U характеристике при 1.5 В. Этот излом вероятно обусловлен регулярной неровностью слоя объемного заряда, который вызван регулярной неровностью поверхности кремниевой подложки и соответственно гетерограницы, причем при напряжениях смещения U <= 1.5 В неровность слоя объемного заряда сглажена. Возможно также, что излом обусловлен присутствием переходного слоя. У обоих видов гетероструктур механизм протекания прямого и обратного тока при комнатных температурах носит термический характер, сменяясь туннельным характером при азотных температурах. Спектры фоточувствительности у обоих видов гетероструктур аналогичны, длинноволновый край соответствует области поглощения кремния, а коротковолновое крыло определяется толщиной GaP слоя.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.