Вышедшие номера
Определение толщины эпитаксиальных слоев разной степени совершенства из интегральных коэффициентов рентгенодифракционных отражений
Кютт Р.Н.1, Хапачев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Санкт-Петербург Кабардино-Балкарский университет Нальчик
Поступила в редакцию: 19 февраля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.

С использованием двух- и трехкристального дифрактометров измерены интегральные коэффициенты для широкого набора рентгенодифракционных отражений от гетероэпитаксиальных систем GaAlSb/GaSb, GaSb/GaAs и GaAs/Si, характеризующихся разной степенью структурного совершенства. Из полученных данных определены толщины эпитаксиальных пленок. Обсуждаются вопросы применимости формул динамической и кинематической теорий дифракции для определения толщин эпитаксиальных слоев из абсолютных значений интегральных отражений пленки и подложки. Предлагаются варианты выбора оптимальных дифракционных условий для этой цели.