Предложена модель поведения туннельного зазора сканирующего туннельного микроскопа (СТМ), работающего в эмиссионном режиме, при наличии на образце относительно толстой диэлектрической пленки. Модель, в частности, предсказывает эффект переключения величины туннельного зазора СТМ, управляемый напряжением на зонде. Соответствующее критическое напряжение зависит от толщины диэлектрической пленки. Наличие эффекта переключения подтверждено экспериментально с помощью СТМ, работающего на воздухе, для диэлетрического слоя адсорбата, существующего на металлической поверхности в естественных условиях. Сравнение экспериментальных данных с моделью позволило получить оценки физических величин, характеризующих состояние туннельного зазора, в том числе толщину и относительную диэлектрическую проницаемость адсорбированного слоя. Показана возможность разработки методики диагностирования с помощью СТМ, работающего в эмиссионном режиме, адсорбированных слоев, находящихся в равновесии с газовой фазой при высоких давлениях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.