Электронная структура и проводимость неупорядоченных бинарных полупроводников
Шунин Ю.Н.1, Шварц К.К.1
1Рижский авиационный университет,, Рига, Латвия Институт физики АН Латвии, Саласпилс, Латвия
Поступила в редакцию: 28 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.
Представлены численные исследования электронной структуры и проводимости неупорядоченных бинарных полупроводников AxB1-x для различных композиций в рамках кластерного подхода. Развитый в последние годы кластерный подход, основанный на приближении когерентного потенциала (ПКП) с использованием теории многократного рассеяния и реалистичных аналитических потенциалов, дает обширную информацию по неупорядоченным средам в форме плотности электронных состояний (ПЭС), законов дисперсии, когерентных потенциалов, эффективных масс носителей заряда и проводимости. Результаты этих теоретических исследований обсуждаются в связи с моделью ПЭС Коэна-Фритцше-Овшинского (КФО). Рассматриваются проблемы минимальной металлической проводимости на основе подходов Кубо-Гринвуда и Таулеса. Анализируются экспериментальные данные по электронным свойствам неупорядоченных SbxSe1-x как объемных, так и пленочных.
- Иоффе А.Ф. Избранные труды. Л.: Наука, 1975. Т. 2. С. 375--396
- Фельц А. Аморфные и стеклообразные некристаллические твердые тела. М.: Мир, 1986. 556 с
- Rao K.J., Mohan R. Sol. Stat. Comm. 1984. Vol. 39. P. 1065--1068
- Шунин Ю.Н., Шварц К.К. Препринт ИФ АН ЛатвССР. ЛАФИ-154. Саласпилс, 1989. 97 с
- Шунин Ю.Н., Шварц К.К. ФТП. 1989. Т. 23. Вып. 6. С. 1049--1053
- Шунин Ю.Н. Канд. дис. Саласпилс, 1991. 94 с
- Cohen M.H., Fritzsche H., Ovshinsky S.R. Phys. Rev. Lett. 1964. Vol. 22. P. 1065--1067
- Davis E.A., Mott N.F. Phit. Mag. 1970. Vol. 22. P. 903--911
- Emin D. Electronic and Structural properties of Amorphous Semiconductors / Es. P. G. LeComber. J. Mort. London; New York: Academic Press, 1973. P. 261--289
- Шварц К.К., Шунин Ю.Н. Физика стеклообразного состояния/ Под ред. Ю.Р. Закиса. Рига, 1985. С. 5--50
- Shuhin Yu.N., Shvarts K.K. Phys. Stat. Sol. (b). 1986. Vol. 135. P. 15--36
- Shunin Yu.N., Shvarts K.K. Latv. J. Phys. Techn. Sci. 1991. N 3. P. 3--29
- Soven P. Phys. Rev. 1967. Vol. 156. P. 809--813
- Yonezawa F. Progr. Theor. Phys. 1968. Vol. 40. P. 734--803
- Roth L.M. Phys. Rev. B. 1974. Vol. 9. P. 2476--2587
- Yonezawa F., Roth L.M., Watabe M. J. Phys. F. 1975. Vol. 5. P. 435--444
- Asano S., Yonezawa F. J. Phys. F. 1980. Vol. 10. P. 75--82
- Economou E.N. Green's Function in Quantum Physics. Berlin, Heidelberg, New York: Springer Verlag, 1983. 315 p
- Ehrenreich H., Schwartz L. Sol. St. Phys. New York: Academic Press, 1976. Vol. 31. P. 150--255
- Шунин Ю.Н. Изв. АН Латв. ССР. Сер. Физ. и техн. наук. 1980. N 2. С. 76--80
- Шунин Ю.Н. Изв. АН Латв. ССР. Сер. Физ. и техн. наук. 1981. N 2. С. 73--77
- Шунин Ю.Н., Шварц К.К. ЖСХ. 1986. Т. 27. С. 143--147
- Шунин Ю.Н., Шварц К.К. Изв. АН Латв. ССР. Сер. Физ. и техн. наук. 1990. N 2. С. 38--56
- Thouless D.J. Phil. Mag. 1975. Vol. 32. P. 877--886
- Губская Г.Ф., Евфимовский П.В. Журнал неорган. хим. 1962. Т. 7. С. 2782--2791
- Мотт Н.Ф., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1974. 664 с
- Физико-химические свойства полупроводниковых материалов. Справочник / Под ред. А.В. Новоселова и др. М.: Наука, 1979. 340 с
- Баранский П.И., Клочков В.П., Потычкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Справочник. Киев: Наукова думка, 1975. 704 с
- Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Кайпер Р. и др. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М., Наука, 1981. 384 с
- Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродского. М.: Мир, 1982. 420 с
- Edwards S.F. Phil. Mag. 1961. Vol. 6. P. 617--620
- Лифшиц И.М., Гредескул С.А., Пастур Л.А. Введение в теорию неупорядоченных систем. М.: Наука, 182. 358 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
