Исследовано распределение удельного сопротивления по поперечному сечению высокоомных монокристаллов кремния n-типа проводимости, полученных с помощью метода фотоядерного трансмутационного легирования (ФТЛ) путем компенсации исходной примеси фосфора акцепторной примесью алюминия. Облучение слитков кремния диаметром до 76 мм с удельным сопротивлением от 1 до 2 кОм·см проведено на пучке тормозного излучения линейного ускорителя электронов ''Факел''. Рассмотрены случаи равномерного и неравномерного по сечению слитков введения трансмутационной примеси. Определены требования к величинам и флуктуациям удельного сопротивления исходного кремния, необходимые для получения ФТЛ кремния с заданной степенью неоднородности. Показано, что применение метода неравномерного облучения, учитывающего систематическое неоднородное распределение удельного сопротивления по сечению монокристаллов исходного кремния, позволяет значительно снизить требования к однородности исходных материалов и обеспечить получение ФТЛ кремния с удельным сопротивлением ~= 5 кОм·см при неоднородности на уровне 10 %.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.