Вышедшие номера
Сверхбыстрый механизм вертикального дрейфа носителей тока в МПМ гетеробарьерных структурах
Аверин С.В., Штейн фон Камински Е., Роскос Х.Г., Гелен Х.И., Керстинг Р., Плеттнер И., Лео К., Коль А., Шпангенберг Б., Курц Х., Холлрихер О.
Поступила в редакцию: 9 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

Встречно-штыревые МПМ (металл-полупроводник-металл) фотодиоды на основе гетероструктур InP/Ga0.47In0.53As предложены в качестве сверхбыстродействующих фотодетекторов видимого диапазона волн. Режим вертикального дрейфа фотогенерированных носителей в таких структурах позволяет наиболее просто реализовать субмикронные размеры активной области фотодиода и значительно увеличить его быстродействие без существенного снижения эффективности ввода светового излучения. Методом внешнего электрооптического стробирования измерен субпикосекундный электрический отклик детектора (FWHM=0.6 пс), встроенного в копланарную линию передач СВЧ энергии. При напряжении смещения 1 В и энергии импульса оптического возбуждения 10 пДж изменение напряжения на фотодиоде составило 40% от величины напряжения смещения, что делает такие диодные структуры достаточно эффективными и чрезвычайно быстродействующими фотодетекторами оптического излучения.