Методом газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе созданы гетероструктуры p-n-GaAs-n-GaP/n-Si и исследована их фоточувствительность в естественном и линейно поляризованном излучении. Установлено, что фоточувствительность этих структур определяется процессами поглощения и преобразования в активной области гомо-p-n-перехода из GaAs, тогда как эпитаксиальный буферный слой GaP позволяет снизить рекомбинационные потери и наряду с кремниевой подложкой практически не участвует в процессах фоточувствительности. Обнаружена и исследована поляризационная фоточувствительность гетероструктур из GaAs. Показано, что аномалия в угловой зависимости фототока, наблюдаемого при совмещении плоскости поляризации излучения с плоскостью падения, обусловлена несовершенством наружной поверхности p-GaAs. Обсуждаются угловая и спектральная зависимости азимутальной фоточувствительности полученных структур. Сделан вывод о возможностях использования структур p-n-GaAs-n-GaP/n-Si в качестве фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.