Проведен теоретический анализ зависимости межзонного туннельного тока гетероструктуры с p⁺-n-переходом в "широкозонном" слое от параметров используемых полупроводниковых материалов, уровней легирования "высокоомных" слоев и их толщин при напряжениях лавинного пробоя гетероструктуры. Показано, что туннельный ток, как правило, немонотонно зависит от концентрации легирующей примеси в "высокоомной" части "широкозонного" слоя. В наиболее практически интересном случае существует оптимальная концентрация этой примеси, при которой для заданных толщин слоев и уровня легирования "узкозонного" слоя туннельный ток достигает абсолютного минимума. Выведена простая формула для определения величины этой концентрации. Получено также аналитическое выражение для определения минимального значения туннельного тока. В реальных случаях перепад токов может составлять несколько порядков. Выяснено, что увеличение уровня легирования "узкозонного" слоя во многих случаях приводит к уменьшению туннельного тока. Показано, что при понижении уровня легирования "высокоомных" слоев гетероструктуры туннельный ток не обращается в нуль, а начиная с некоторой концентрации перестает зависеть от уровня легирования. Аналогичный эффект имеет место и для гомогенного p⁺-n-перехода. Обсуждаются физические причины такого поведения туннельного тока при напряжениях лавинного пробоя.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.