Особенности двумерного моделирования дрейфовых инжекционных магниточувствительных структур
Глауберман М.А.1, Егоров В.В.1, Канищева Н.А.1, Козел В.В.1
1Учебно-научно-производственный центр при Одесском государственном университете им.И.И.Мечникова, Одесса, Украина
Поступила в редакцию: 7 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.
Обоснована правомочность двумерного описания переноса инжектированных носителей в базах дрейфовых инжекционных магниточувствительных структур. На основе рассмотрения распределения электрического потенциала в приэмиттерной области базы предложены две модели эмиттера таких структур. Получен критерий выбора одной из этих моделей в зависимости от конструкционно-технологических параметров и электрического режима структур.
- Викулин И.М., Глауберман М.А., Канищева Н.А. // ФТП. 1977. Т. 11. Вып. 4. С. 645--650
- Викулин И.М., Глауберман М.А., Егиазарян Г.А. и др. // ФТП. 1981. Т. 15. Вып. 3. С. 479--483
- Davies L.W., Wells M.S. // Proc. l.R.E.E. (Australia). 1971. N 6. P. 235--238
- Allegretto W., Nathan A., Baltes H.P. // NACECODE V. Proc. 5th Intern. Conf. Numer. Anal. Semiconductor Devices and Integr. Circuit. Ireland, 1987. P. 87--92
- Викулин И.М., Глауберман М.А., Егоров В.В. Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1990. N 1. С. 9--14
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. М.: Мир, 1984. 456 с
- Гуменюк С.В. // Тез. докл. научно-техн. конф. "Датчики на основе технологии микроэлекроники". М., 1989. С. 85--87
- Lysenko V.S., Litovskii R.N., Roumenin Ch.S., Smirnov N.D. // Rev. Phys. Appl. 1983. Vol. 18. P. 87--92
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук