Влияние примесей на фотолюминесценцию модифицированных кристаллов InP
Баимбетов Ф.Б.1, Джумамухамбетов Н.Г.1
1Атырауский университет, Атырау, Казахстан
Поступила в редакцию: 18 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.
Показано, что в спектрах фотолюминесценции модифицированных лазерным излучением кристаллов InP независимо от типа примесей и их концентрации в исходном кристалле обнаруживается новая полоса излучения 1.35 eV (77 K). Установлено, что появление этой полосы является общим свойством дефектности кристаллической структуры модифицированных полупроводников.
- Джумамухамбетов Н.Г., Дмитриев А.Г. // ФТП. 1993. Т. 27. Вып. 4. С. 641--644
- Williams E.W., Elder W. // J. Electrochem. Soc. 1973. N 12. P. 120
- Колесник Л.И., Лошинский А.М., Нашельский А.Я., Якобсон С.В. // Неорган. материалы. 1981. Т. 17. N 12. С. 14--19
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук