Определение зависимости переохлаждения грани (211) BGO от скорости роста из данных по зависимости переохлаждения от времени при заданном темпе охлаждения расплава
Васильев Я.В.1, Голышев В.Д.1, Гоник М.А.1, Колесникова Э.Н.1, Цветовский В.Б.1, Шлегель В.Н.1, Юферев В.С.1
1Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья, Александров, Владимирская область, Россия
Поступила в редакцию: 30 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
Приведены результаты определения зависимости переохлаждения межфазной поверхности от скорости роста при выращивании из расплава монокристалла Bi4Ge3O12 в направлении [211]. Измерение переохлаждения основано на измерении оптическим пирометром через растущий кристалл интенсивности собственного теплового излучения межфазной поверхности. Кристалл выращивался ОТФ методом (осевой тепловой поток вблизи фронта кристаллизации) за счет охлаждения ОТФ нагревателя с заданным темпом. Скорость роста, соответствующая измеренной величине переохлаждения, определялась расчетом. Исследования показали наличие большой величины переохлаждения и нелинейную ее зависимость от скорости роста.
- Голышев В.Д., Гоник М.А., Цветковский В.Б. // ПТЭ. 1998. N 5. С. 153--157
- Golyshev V.D., Gonik M.A. // High Temp.-High Press. 1994. Vol. 26. P. 595--603
- Golyshev V.D., Gonik M.A. // Cryst. Prop. and Preparation. 1991. Vol. 36--38. P. 623--630
- Голышев В.Д., Гоник М.А., Цветковский В.Б. и др. // Изв. РАН. Сер. Неорган. материалы. 1995. Т. 35. N 6. С. 715--719
- Vasiliev Ya.V., Akhmetshin R.R., Borovlev B.N. et al. // Nuclear Instr. and Meth. A. 1996. Vol. 379 A. P. 533--535
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук