Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование наноразмерных пленок силицидов на поверхности Si(111) и Si(100) методом низкоэнергетической ионной имплантации

Рысбаев А.С.¹, Хужаниязов Ж.Б.¹, Рахимов А.М.¹, Бекпулатов И.Р.¹

¹Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан Tashkent State Technical University, Tashkent, Uzbekistan

Email: rysbaev@mail.ru

Поступила в редакцию: 16 января 2014 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами электронной спектроскопии и дифракции медленных электронов исследованы процессы формирования наноразмерных пленок силицидов при имплантации ионов В, Р, Ва и щелочных элементов в Si(111) и Si(100) и последующем термическом отжиге. Показано, что имплантация ионов с большой дозой D > 10¹⁶ cm^-2 и кратковременный прогрев приводят к образованию тонких пленок силицидов с новыми поверхностными сверхструктурами: Si(111)-(sqrt(3)sqrtR30^o-B, Si(100)-2x2Ba, Si(111)-1x1P и др.

Ivanenko L.I., Shaposhnikov V.L., Filonov A.B. et al. // Thin Solid Films. 2004. V. 461. P. 141--147
Соцкая Н.В., Долгих О.В., Кашкаров В.М. и др. // Сорбционные и хроматографические процессы. 2009. Т. 9. Вып. 5. С. 643--652
Рысбаев А.С., Ташатов А.К., Джураев Ш.Х., Хужаниязов Ж.Б. // Поверхость. 2011. N 12. С. 98--104
Самсонов Г.В., Дворина Л.А., Рудь Б.М. Силициды. М.: Металлургия, 1979. 270 с
Руми Д.С., Нигматов С.Ж., Атабаев Б.Г., Гарафутдинова И.А. // УФЖ. 2001. N 3--4. С. 203--209
Гарбер Р.И., Гнап А.К., Федоренко А.И. Исследование структуры ионно-легированного кремния. / В кн. "Физические основы ионно-лучевого легирования". Горький: Наука, 1972. С. 122
Headrick R.L., Robinson L.K., Vlieg E., Feldman L.C. // Phys. Rev. Lett. 1989. Vol. 63. N 12. P. 1253
Ташатов А.К. Исследование свойств и состава ионно-имплантированных слоев кремния, арсенид галлия и сплава Pd-Ba, методами вторичной электронной спектроскопии / Автореф. канд. дис. Ташкент, 1990. 16 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель