Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Автоэмиссионные диоды на основе гетеропереходов полупроводник--поликристаллический алмаз

Беспалов В.А.¹, Ильичев Э.А.¹, Кулешов А.Е.¹, Мигунов Д.М.¹, Набиев Р.М.¹, Петрухин Г.Н.¹, Рычков Г.С.¹, Сахаров О.А.¹, Щербахин Ю.B.¹

¹Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

Email: edil44@mail.ru

Поступила в редакцию: 30 июля 2013 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты комплексных электрофизических и технологических исследований твердотельных автоэмиссионных диодов, полевая эмиссия в которых осуществляется из массива наноразмерных объектов, расположенных на гетерогранице полупроводник-поликристаллический алмазный слой. В технологический маршрут изготовления твердотельных автоэмиссионных диодов в качестве базовых технологий получения приборных гетероструктур интегрированы технологии формирования массивов наноразмерных масок, технология формирования массивов наноразмерных конусов и технология плазмостимулированного роста поликристаллических алмазных пленок на поверхностях структур с сформированными массивами из наноразмерных конусов. В сформированных указанным образом автоэмиссионных диодах достигнуты плотности токов ~20 A/cm² при пороговом напряжении автоэмиссии из массивов наноострий в алмаз ~0.5 V.

Veda K., Kasu M., Yamauchi Y. et al. // Electron. Dev. Lett. 2006. Vol. 27. N 7. P. 570--572
Vikulov N., Kichaeva N. // Electronica: NTB. 2008. N 5. P. 70
Ha J.K., Chung B.H., Han S.Y. et al. // L. Vac. Sci. Technol. B. 2002. Vol. 20. P. 2080
De Jonge N., Bonard J.M. // Philos. Trans. Roy. Soc. Lond. A. 2004. Vol. 362. P. 2239
Ильичев Э.А., Инкин В.Н., Мигунов Д.М., Петрухин Г.Н., Полторацкий Э.А., Рычков Г.С., Шкодин Д.В. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. Вып. 4. С. 48--52
Dvorkin V.V., Dzbanovsky N.N., Suetin N.V., Poltoratsky E.A., Richkov G.S., Il'ichev E.A., Gavrilov S.A. // Diam. Relat. Mater. 2003. Vol. 12. P. 2208--2218

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель