Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование механизма взаимодействия направленного потока отрицательных частиц газоразрядной плазмы с поверхностью расплава никеля
1Самарский государственный аэрокосмический университет им. ак. С.П. Королева (национальный исследовательский университет), Самара, Россия
2Институт систем обработки изображений РАН, Самара, Россия
2Институт систем обработки изображений РАН, Самара, Россия
Email: podlipnovvv@ya.ru
Поступила в редакцию: 27 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.
Установлено, что при облучении поверхности расплава никеля структуры никель-кремний отрицательными частицами и электронами газоразрядной плазмы с энергией до 6 keV в приповерхностной области жидкой фазы металла в направлении нормали к поверхности полупроводника возникает градиент пустот атомного размера, называемых "вакансиями". Приведены аналитические и экспериментальные исследования механизма образования "вакансий" и механизма формирования ими направленного потока кремния в направлении поверхности расплава. Показано, что в процессе диффузии атомов полупроводника в расплаве происходит экстракция примесных атомов, служащих рекомбинационными центрами, что значительно повысило пробивное напряжение полупроводниковых диодов.
- Воробьева Т.Н., Кобец А.В., Рева О.В., Врублевская О.Н. // Сб. статей: Свиридовские чтения. Вып. 7. Минск: Изд-во БГУ, 2011. С. 34-43
- Березкин В.В., Паламарчук В.И., Кизилов В.Д. // Межвед. научн. сб. Диэлектрики и полупроводники. Киев: Лыбидь (1977). Вып. 11. С. 32-39
- Stefart G.W. // J. Chem. Phys. 1934. Vol. 2. P. 417-425
- Фишер И.З. Статистическая теория жидкостей. М.: Физматиздат, 1961. 80 с
- Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. Л.: Наука, 1975. С. 380-381, 390
- Френкель Я.И. Введение в теорию металлов. М.: Наука, 1972. 250 с
- Колпаков А.И., Колпаков В.А. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 15. С. 58-65
- Комов А.Н., Колпаков А.И., Рафаевич Б.Д. // Приборы и техника эксперимента. 1977. N 1. C. 253-255
- Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высшая школа, 1986. 368 с
- Казанский Н.Л., Колпаков В.А. Формирование оптического микрорельефа во внеэлектродной плазме высоковольтного газового разряда. М.: Радио и связь, 2009. C. 31
- Вавилов В.С., Киев А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 с
- Валиев К.А., Раков В.А. Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике. М.: Радио и связь, 1984. 350 с
- Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1975. C. 175-180
- Вавилов В.С., Киев А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. C. 89-97, 259-268, 302-308, 323-325
- Попов В.К. // Физика и химия обработки материалов. 1976. N 4. C. 11-24
- Рыкалин Н.Н., Зуев И.В., Углов А.А. Основы электронно-лучевой обработки материалов. М.: Машиностроение, 1978. C. 14, 15
- Деркач В.П., Корсунский В.М., Сидоренко С.Л. // Физика и химия обработки материалов. 1970. N 4. C. 25-28
- Колпаков В.П., Колпаков А.И., Подлипнов В.В. // ЖТФ. 2013. Т. 83. Вып. 4. С. 41-46
- Kazanskiy N.L., Kolpakov V.A., Podlipnov V.V. // Vacuum. 2014. Vol. 101. P. 291-297
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
