Вышедшие номера
Исследование механизма взаимодействия направленного потока отрицательных частиц газоразрядной плазмы с поверхностью расплава никеля
Колпаков В.А., Подлипнов В.В.1,2
1Самарский государственный аэрокосмический университет им. ак. С.П. Королева (национальный исследовательский университет), Самара, Россия
2Институт систем обработки изображений РАН, Самара, Россия
Email: podlipnovvv@ya.ru
Поступила в редакцию: 27 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Установлено, что при облучении поверхности расплава никеля структуры никель-кремний отрицательными частицами и электронами газоразрядной плазмы с энергией до 6 keV в приповерхностной области жидкой фазы металла в направлении нормали к поверхности полупроводника возникает градиент пустот атомного размера, называемых "вакансиями". Приведены аналитические и экспериментальные исследования механизма образования "вакансий" и механизма формирования ими направленного потока кремния в направлении поверхности расплава. Показано, что в процессе диффузии атомов полупроводника в расплаве происходит экстракция примесных атомов, служащих рекомбинационными центрами, что значительно повысило пробивное напряжение полупроводниковых диодов.